[发明专利]一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜有效
| 申请号： | 202010129619.8 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111383804B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 盛飞;曾西平 | 申请（专利权）人： | 深圳市华科创智技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/22;B05D3/04;B05D7/04 |
| 代理公司： | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 王庆海;刘军锋 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 异性 纳米 导电 制备 方法 | ||
1.一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供纳米线导电墨水和基膜；
(2)将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜，在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流，改变湿膜中部分纳米线的取向；
(3)湿膜沉积、烘干固化成型，得导电膜；
所述风切流的方向与基膜前进的垂直方向的角度为21-30°；
所述风切流由风机提供，所述风机悬挂在湿膜上方，并沿垂直所述基膜前进方向延伸；
所述风机的出风口平行设置有多个挡风板，所述挡风板的设置方向与基膜前进方向一致，所述挡风板的倾斜角度与基膜前进的垂直方向呈21-30°；
所述风切流的风量为45-70CFM；
所述导电膜的宽幅为500-1600mm。
2.根据权利要求1所述的改进向异性的纳米线导电膜的制备方法，其特征在于，所述出风口与湿膜之间的距离为10-30cm。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的改进向异性的纳米线导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供纳米线导电墨水、光学层原料和基膜；
(2)将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜，在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流，改变湿膜中部分纳米线的取向；
(3)湿膜烘干固化成型，得导电层；
(4)将光学层原料涂布在导电层上，固化，得导电膜。
4.一种纳米线导电膜，其特征在于，由权利要求1-3中任一项所述的制备方法制备得到。
5.根据权利要求4所述的纳米线导电膜，其特征在于，所述导电膜的宽幅为500-1600mm。
6.根据权利要求4所述的纳米线导电膜，其特征在于，所述导电膜垂直基膜前进方向的阻值与沿基膜前进方向的阻值比为1.05-1.13。
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