[发明专利]一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜

说明书

本发明涉及导电膜领域，尤其涉及一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜。该纳米线导电膜采用以下方法制备：提供纳米线导电墨水和基膜；将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜，在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流，改变湿膜中部分纳米银线的取向；湿膜沉积、烘干固化成型，得导电膜。本发明在将导电墨水涂布在基膜上形成湿膜后，对湿膜沿与其前进方向垂直的方向进行持续风切，有选择性的改变纳米线在流平过程中的取向；本发明将风切过程设置于自流平环节，容易实现对纳米线取向的调节，本发明的导电膜垂直基膜前进方向的阻值与沿基膜前进方向的阻值比为1.05‑1.13，阻值均匀。

技术领域

本发明涉及导电膜领域，尤其涉及一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜。

背景技术

现有技术中，纳米线导电膜在制备过程中，直接将纳米线以卷对卷涂布的方式涂布在基膜上，整个工艺流程为基膜放卷、基膜纠偏、涂布、烘干和收卷。在将纳米线油墨涂布在基膜上时，会形成交叉的网络导电层，纳米线之间会产生两点以上的接触；同时纳米线具有趋向性，沿着基膜前进的方向纳米线的分布要多于垂直方向的纳米线，即MD(MachineDirection)方向的纳米线数量要多于TD(Transverse Direction)方向的纳米线，使得TD方向的阻值高于MD方向，TD/MD的值基本在1.5以上。

公开号为CN103889595A的中国发明专利公开了一种形成导电膜的方法，提供了一种后沉积处理，通过在纳米线溶液沉积之后立即施加穿过网状件的气流减小R_MD与R_TD之间的差别。但是该方案中MD上纳米线优先排列的减少是在湿膜沉积之后并当该膜仍然能够充分地流动以允许层流时被实现，即在预固化阶段进行，而不是在沉积期间解决这种各向异性。这就导致该方案在进行向异性改进过程中，有部分纳米线已经在沉积过程中获得定向，导致纳米线改变取向有限或者很难调节，使得纳米线向异性的改善效果不佳，TD与MD方向的阻值仍有一定的差异性。

发明内容

针对以上技术问题，本发明提供一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜，提高纳米线导电膜向异性的改进效率和改进效果。

本发明采用以下技术方案：

一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)提供纳米线导电墨水和基膜；

(2)将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜，在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流，改变湿膜中部分纳米线的取向；

(3)湿膜沉积、烘干固化成型，得导电膜。

进一步的，风切流的方向与基膜前进的垂直方向的角度为21-30°。

进一步的，风切流由风机提供，风机悬挂在湿膜上方，并沿垂直基膜前进方向延伸。

进一步的，风机的出风口平行设置有多个挡风板，挡风板的设置方向与基膜前进方向一致，挡风板的倾斜角度与基膜前进的垂直方向呈21-30°。

进一步的，出风口与湿膜之间的距离为10-30cm。

进一步的，风切流的风量为45-70CFM。

进一步的，该改进向异性的纳米线导电膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)提供纳米线导电墨水、光学层原料和基膜；

(2)将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜，在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流，改变湿膜中部分纳米线的取向；

(3)湿膜烘干固化成型，得导电层；

(4)将光学层原料涂布在导电层上，固化，得导电膜。

本发明还提供一种纳米线导电膜，由上述制备方法制备得到。