[发明专利]一种基于纳米颗粒-金膜体系构造高场增强的纳米间隙及其制备方法有效
申请号: | 202010132324.6 | 申请日: | 2020-02-29 |
公开(公告)号: | CN111272731B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 徐红星;熊洋;张顺平 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;B82Y15/00 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 李炜 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 颗粒 体系 构造 增强 间隙 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于纳米颗粒-金膜体系构造高场增强的纳米间隙的方法,其特征在于,以棱镜激发作为激发手段,
包括以下步骤:
(1)在棱镜表面依次蒸镀铬、金膜和氧化铝;铬的厚度为3-5nm,金膜的厚度为45-55nm,氧化铝的厚度为3nm;
(2)制备纳米探针溶液;
所述纳米探针的溶液的制备方法如下:将拉曼分子溶液加入到金颗粒溶液中混合后即得;所述金颗粒的0.03 nM,颗粒的尺寸是60 nm;所述拉曼分子包括巯基苯甲酸和巯基吡啶,浓度为10μmol/L;拉曼分子与金颗粒的摩尔比为1:30-60;
(3)将纳米探针溶液滴加于在金膜上形成耦合芯片即得;
所述耦合芯片的制备 方法如下:将纳米探针溶液滴加在金膜表面,静置后干燥即得;所述耦合芯片上金颗粒的间距为5-10微米。
2.根据权利要求1所述的基于纳米颗粒-金膜体系构造高场增强的纳米间隙的方法,其特征在于:所述步骤(1)中蒸镀的使用热蒸发镀膜机,蒸发速率为0.05 nm/s,其中铬蒸镀6s,金膜蒸馍100s。
3.一种基于纳米颗粒-金膜体系构造高场增强的纳米间隙,其特征在于:采用权利要求1或2所述的方法制备。
4.权利要求3所述的基于纳米颗粒-金膜体系构造高场增强的纳米间隙在拉曼检测中的应用。
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