[发明专利]用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法在审
| 申请号： | 202010134133.3 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111383997A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金锋;蔡莹;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 高压 bcd 平台 互补 金属 氧化物 半导体 制作方法 | ||
1.一种用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，包括：
形成半导体器件的栅极结构；
对半导体器件进行不带光罩的N型LDD普注掺杂，在NMOS管区的有源区中形成NLDD区，在PMOS管区的有源区中形成袋状区；
在所述栅极结构的两侧形成侧墙；
对所述NMOS管区的进行N+型掺杂，在所述NMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极；
对所述PMOS管区的源极图案和漏极图案进行斜角P型LDD掺杂，扩散后在所述袋状区中形成PLDD区；
对所述PMOS管区进行P+型掺杂，在所述PMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极。
2.如权利要求1所述的用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，所述对半导体器件进行N型LDD掺杂包括：
对半导体器件进行能量为100Kev～200Kev的N型LDD掺杂。
3.如权利要求1所述的用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，所述对半导体器件进行N型LDD掺杂包括：
对半导体器件进行N型LDD掺杂，掺杂角度为15度～60度。
4.如权利要求1所述的用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，所述对所述PMOS管区的源极图案和漏极图案进行斜角P型LDD掺杂，包括：
对所述PMOS管区的源极图案和漏极图案进行能量为40Kev～60Kev的斜角P型LDD掺杂。
5.如权利要求1所述的用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，所述对所述PMOS管区的源极图案和漏极图案进行斜角P型LDD掺杂，包括：
对所述PMOS管区的源极图案进行斜角P型LDD掺杂时，掺杂角度范围为15度～60度；对所述PMOS管区的漏极图案进行斜角P型LDD掺杂时，掺杂角度范围为120度～165度。
6.如权利要求1所述的用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，所述对所述PMOS管区进行P+型掺杂，在所述PMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极，包括：
沿竖直方向向下对所述PMOS管区进行P+型掺杂，使得在所述PMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极。
7.如权利要求1所述的用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，所述形成半导体器件多晶硅栅极，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成外延层；
对所述外延层进行掺杂形成阱区；
在所述阱区上生长栅氧化层，沉淀多晶硅；
在所述多晶硅上沉淀钨化硅；
刻蚀形成所述栅极结构。
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