[发明专利]用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法

说明书

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于高压BCD平台的互补金属氧化物半导体的制作方法。包括：形成半导体器件的栅极结构；对半导体器件进行不需要光罩的N型LDD普注掺杂，在NMOS管区的有源区中形成NLDD区，在PMOS管区的有源区中形成袋状区；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；对所述NMOS管区的源漏极进行N+型掺杂，在所述NMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极；对所述PMOS管区的源极图案和漏极图案进行斜角P型LDD掺杂，扩散后在所述袋状区中形成PLDD区；对所述PMOS管区进行P+型掺杂，在所述PMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极。本发明能够在节省两块LDD版的前提下，保证NMOS管高电流和HCI可靠性要求，同时PMOS的性能也不受影响。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于高压双极型-互补金属氧化物半导体-垂直双扩散金属氧化物半导体(Bipolar-CMOS管区-DMOS管区，BCD)平台的互补金属氧化物半导体的制作方法。

背景技术

在集成电路亚微米以及深亚微米时代中，随着栅极长度/沟道长度的减小，在技术上需要面对的主要问题包括穿通和沟道电场，这些问题会导致的热载流子效应(HotCarrier Injection，HCI)。即由于耗尽区宽度延展进入沟道，导致有效沟道长度变窄，等效加在沟道上的电场则增加，导致沟道载流子碰撞从而增加产生新电子空穴对，进而形成热载流子掺杂效应。为了抑制HCI，通过在高掺杂的源极/漏极上制作低掺杂漏(Low DopedDrain，LDD)以降低沟道区域的耗尽区宽度。由于LDD是通过对整个器件进行掺杂形成，在LDD掺杂之后通过制作侧墙，再进行高浓度掺杂，从而在侧墙的阻挡下，在侧墙下面形成LDD区域。

在常规的BCD工艺中，为了不影响器件的特性，互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS管区)按照传统有两种做法。一种是通过栅极多晶硅自对准在源漏区掺杂形成LDD区域，随后生长氧化膜形成侧墙，再在源漏区掺杂重掺杂N+型或P+形成有源区，这样侧墙下的LDD轻掺杂可以有效改善MOS管区的HCI可靠性，缺点是需要额外两张掩模板。另一种方法是在形成侧墙后，通过源漏掺杂时增加斜角掺杂，在侧墙下扩散形成LDD，再重掺杂N+型或P+形成有源区，但此种方法斜角掺杂剂量难以控制，若掺杂计量太少，扩散到侧墙下的LDD太淡，则影响MOS管区电流密度，若掺杂剂量太高，对HCI可靠性又不利。

为此，亟需一种用在BCD工艺中，即能够节省掩模板的使用数量，保证器件高电流的同时保证HCI可靠性要求。

发明内容

本发明提供了一种用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，可以解决相关技术中高成本和HCI可靠性难以保证的问题。

本发明实施例提供了一种用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法，包括：

形成半导体器件的栅极结构；

对半导体器件进行不带光罩的N型LDD普注掺杂，在NMOS管区的有源区中形成NLDD区，在PMOS管区的有源区中形成袋状区；

在所述栅极结构的两侧形成侧墙；

对所述NMOS管区的进行N+型掺杂，在所述NMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极；

对所述PMOS管区的源极图案和漏极图案进行斜角P型LDD掺杂，扩散后在所述袋状区中形成PLDD区；

对所述PMOS管区进行P+型掺杂，在所述PMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极。

可选的，所述对半导体器件进行N型LDD掺杂包括：

对半导体器件进行能量为100Kev～200Kev的N型LDD掺杂。

可选的，所述对半导体器件进行N型LDD掺杂包括：