[发明专利]SRAM存储单元

权利要求书

1.一种SRAM存储单元，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管，以及第一传输管和第二传输管；

所述第一传输管的第一端连接第一位线，所述第一传输管的另一端连接第一存储节点；所述第二传输管的第一端连接第二位线，所述第二传输管的另一端连接第二存储节点；

所述第一存储节点还连接第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极；

所述第二存储节点还连接第二NMOS管的漏极、第五PMOS管的漏极、第六PMOS管的栅极、第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极；

所述第一PMOS管的源极连接电源，漏极连接第二PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极；

所述第四PMOS管的源极连接电源，漏极连接第五PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极。

2.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一传输管和第二传输管PMOS管，所述第一传输管的第一端为第一传输管源极或者漏极中的一极，所述第一传输管的另第一端为第一传输管源极或者漏极中的另一极，第一传输管的栅极为控制端；

所述第二传输管的第一端为第二传输管源极或者漏极中的一极，所述第二传输管的另第一端为第二传输管源极或者漏极中的另一极，第二传输管的栅极为控制端。

3.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，第一存储节点和第二存储节点的电位分别能够在0和1之间翻转，且第一存储节点和第二存储节点的电位相反。

4.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，若初始状态第一存储节点的电位为0、所述第二存储节点的电位为1，对所述SRAM存储单元进行写1操作时，将字线置为低电平，将第一位线置为高电平，第二位线为低电平。

5.如权利要求4所述的SRAM存储单元，其特征在于，在对所述SRAM存储单元进行写1操作后，所述SRAM存储单元存储信息为1，所述第一存储节点的电位为1、所述第二存储节点的电位为0。

6.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，对所述SRAM存储单元进行写0操作时，若进行写0操作之前，所述第一存储节点的电位为1、所述第二存储节点的电位为0，对所述SRAM存储单元进行写0操作时，将字线置为低电平，将第一位线置为低电平，第二位线为高电平。

7.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，在对所述SRAM存储单元进行写0操作后，所述SRAM存储单元存储信息为0，所述第一存储节点的电位为0、所述第二存储节点的电位为1。