[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；

旋转部，其使所述基板载置盘旋转；

气体供给构造，其处于所述基板载置盘的上方，且配置于从所述基板载置盘的中心到外周的范围；

气体供给部，其包含所述气体供给构造，并控制从所述气体供给构造供给的气体供给量；

气体排出构造，其处于所述基板载置盘的上方，且设于所述气体供给构造的旋转方向下游；

气体排出部，其包含所述气体排出构造，并控制从所述气体排出构造排出的气体排出量；和

气体主成分量控制部，其具备所述气体供给部和所述气体排出部，并控制针对所述基板的气体主成分量，

所述气体主成分量控制部能够调节从所述中心到所述外周向所述基板供给的气体的主成分的量。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板处于形成有在面内构成多个槽的支柱的状态的情况下，所述气体主成分量控制部使向所述基板中的、所述基板的中央区域供给的气体的暴露量大于向所述基板的侧方区域供给的气体的暴露量。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供给部从所述基板载置盘的中心部到外周部以固定的供给量供给气体，

在所述基板的中央区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为第1距离，

在所述基板的侧方区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为比所述第1距离短的第2距离。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体主成分量控制部使气体的供给量从所述基板载置盘的中心到外周增多。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述气体供给构造中，从所述基板载置盘的中心到外周设有气体供给孔，所述气体供给孔相对于所述基板的表面倾斜。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供给部从所述基板载置盘的中心部到外周部以固定的供给量供给气体，

在所述基板的中央区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为第1距离，

在所述基板的侧方区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为比所述第1距离短的第2距离。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1距离及所述第2距离根据形成于所述中央区域及所述侧方区域内的槽的表面积来设定。

8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体主成分量控制部使气体的供给量从所述基板载置盘的中心到外周增多。

9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，在所述气体供给构造中，从所述基板载置盘的中心到外周设有气体供给孔，所述气体供给孔相对于所述基板的表面倾斜。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体主成分量控制部使气体的供给量从所述基板载置盘的中心到外周增多。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，在所述气体供给构造中，从所述基板载置盘的中心到外周设有气体供给孔，所述气体供给孔相对于所述基板的表面倾斜。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，设有多个所述气体供给孔，所述倾斜从所述基板载置盘的中心到外周逐渐趋向所述基板的表面。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，设有多个所述气体供给孔，各所述气体供给孔从所述基板载置盘的中心到外周逐渐接近基板表面。