[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序

说明书

本发明对于在使基板公转的同时对其处理的装置提供能够均匀处理基板面内的基板处理装置，其具有：基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；旋转部，其使基板载置盘旋转；气体供给构造，其处于基板载置盘的上方，且配置于从基板载置盘的中心到外周的范围；气体供给部，其包含气体供给构造，并控制从气体供给构造供给的气体供给量；气体排出构造，其处于基板载置盘的上方，且设于气体供给构造的旋转方向下游；气体排出部，其包含气体排出构造，并控制从气体排出构造排出的气体排出量；和气体主成分量控制部，其具备气体供给部和气体排出部，并控制针对基板的气体主成分量，气体主成分量控制部能够调节从中心到外周向基板供给的气体的主成分的量。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序。

背景技术

以使生产量和处理质量同时提高为目的，具有一种在使基板公转的同时供给气体来进行所希望的基板处理的装置。作为这种装置，例如具有专利文献1记载的技术。

在处理基板时，优选均匀处理基板面内。然而，在使基板公转的装置的情况下，由于装置形式的制约，有时在装置的中心侧和外周侧对基板的气体供给的状况不同。在该情况下，难以均匀处理基板面内，因此会导致成品率下降。

专利文献1：日本特开2016-42561

发明内容

于是，本发明的目的为，对于在使基板公转的同时对其处理的装置，提供一种能够均匀处理基板面内的技术。

根据本发明的一个方案而提供一种构成，具有：基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；旋转部，其使所述基板载置盘旋转；气体供给构造，其处于所述基板载置盘的上方，且配置于从所述基板载置盘的中心到外周的范围；气体供给部，其包含所述气体供给构造，并控制从所述气体供给构造供给的气体供给量；气体排出构造，其处于所述基板载置盘的上方，且设于所述气体供给构造的旋转方向下游；气体排出部，其包含所述气体排出构造，并控制从所述气体排出构造排出的气体排出量；和气体主成分量控制部，其具备所述气体供给部和所述气体排出部，并控制针对所述基板的气体主成分量，所述气体主成分量控制部能够调节从所述中心到所述外周向所述基板供给的气体的主成分的量。

发明效果

根据上述技术，能够对于在使基板公转的同时对其处理的装置提供一种能够均匀处理基板面内的技术。

附图说明

图1是说明第1实施方式的基板处理装置的说明图。

图2是说明第1实施方式的基板处理装置的说明图。

图3是说明第1实施方式的气体供给部的说明图。

图4是说明第1实施方式的气体供给构造和气体排出构造的说明图。

图5是说明第1实施方式的气体供给构造和气体排出构造的说明图。

图6是说明第1实施方式的基板处理装置的控制器的说明图。

图7是说明第1实施方式的基板处理流程的说明图。

图8是说明第1实施方式的基板处理流程的说明图。

图9是说明在第1实施方式中处理的基板的状态的说明图。

图10是说明第2实施方式的基板处理装置的说明图。

图11是说明第2实施方式的气体供给构造的说明图。

图12是说明第2实施方式的气体排出构造的说明图。

图13是说明第2实施方式的气体供给构造和气体排出构造的说明图。

图14是说明第3实施方式的气体供给构造的说明图。

图15是说明第3实施方式的气体供给构造的说明图。