[发明专利]一种检测双极型晶体管电流放大倍数的方法和电路有效

专利信息
申请号: 202010137610.1 申请日: 2020-03-02
公开(公告)号: CN111751693B 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 李威;李小勇 申请(专利权)人: 上海料聚微电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R19/00
代理公司: 北京祯新珵艺知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16110 代理人: 沈超
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 双极型 晶体管 电流 放大 倍数 方法 电路
【权利要求书】:

1.一种双极型晶体管电流放大倍数的检测电路,包括:

电压提取单元,配置为提取第一双极型晶体管的基极和集电极电压;

比较单元,与所述电压提取单元耦合,配置为对所述第一双极型晶体管的基极和集电极电压进行比较,并输出比较结果;

其中所述电压提取单元包括与第一双极型晶体管耦合的匹配组件;其中

所述匹配组件配置为通过两条电阻性支路将所述第一双极型晶体管的基极和集电极电压提取出来。

2.如权利要求1所述的电路,其中所述电压提取单元包括:

电流镜,配置为拷贝第一双极型晶体管基极和集电极电流。

3.如权利要求1或2所述的电路,其中,所述电压提取单元包括:

第一晶体管,其第一极耦合至电源,第二极耦合至所述第一双极型晶体管基极,控制极耦合至第二极;

第二晶体管,其第一极耦合至电源,第二极耦合至所述第一双极型晶体管集电极,控制耦合至其第二极;

第三晶体管,其第一极耦合至电源,第二极通过第一电阻接地,控制极耦合至所述第一晶体管控制极;

第四晶体管,其第一极耦合至电源,第二极通过第二电阻接地,控制极耦合至所述第二晶体管控制极;

其中所述第一电阻的阻值与所述第二电阻阻值之比等于第一双极型晶体管的理想放大倍数。

4.如权利要求3所述的电路,其中所述比较单元包括比较器,其正向端耦合至所述第四晶体管第二极,其反向端耦合至所述第三晶体管第二极,并配置为在所述比较器的输出端提供所述比较结果。

5.如权利要求1所述的电路,其中,所述电压提取单元包括:

电流源,其耦合在电源以及第一节点之间;

其中所述匹配组件包括:

第三电阻,耦合在所述第一双极型晶体管基极和所述第一节点之间;

第四电阻,耦合在所述第一双极型晶体管集电极和所述第一节点之间;

其中所述第三电阻的阻值与所述第四电阻阻值之比等于第一双极型晶体管的理想放大倍数。

6.根据权利要求5所述的电路,其中所述比较单元包括比较器,其正向端耦合至所述第一双极型晶体管基极,其反向端耦合至所述第一双极型晶体管集电极,并配置为在所述比较器的输出端提供所述比较结果。

7.一种电子设备,包括如权利要求1-6中任一所述的检测电路和与其他功能电路模块,其中所述其他功能电路模块包括与所述第一双极型晶体管相同的第二双极型晶体管,其中所述其他功能电路根据所述检测电路输出的比较结果对施加给所述第二双极型晶体管的信号进行调整。

8.一种检测双极型晶体管放大倍数的方法,包括:

根据待测双极型晶体管的理想放大倍数为其基极和集电极设置匹配电阻;

获取所述待测双极型晶体管的基极和集电极电流,并基于所述匹配电阻获得所述待测双极型晶体管的基极和集电极电压并进行比较;以及

输出比较结果。

9.一种电子设备的操作方法,包括:

根据第一双极型晶体管的理想放大倍数为其基极和集电极设置匹配电阻;

获取所述第一双极型晶体管的基极和集电极电压并进行比较;

根据比较结果对施加给第三双极型晶体管的信号进行调整,其中所述第三双极型晶体管与第一双极型晶体管属性相同。

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