[发明专利]一种检测双极型晶体管电流放大倍数的方法和电路

说明书

本申请涉及一种检测双极型晶体管电流放大倍数的电路，包括：电压提取单元，配置为提取第一双极型晶体管的基极和集电极电压；比较单元，与所述电压提取单元耦合，配置为对所述第一双极型晶体管的基极和集电极电压进行比较，并输出比较结果。本申请还涉及一种电子设备，一种检测双极型晶体管放大倍数的方法以及一种电子设备的操作方法。

技术领域

本申请涉及一种检测电路，特别地涉及一种检测双极型晶体管电流放大倍数的方法和电路。

背景技术

集电极/基极电流放大倍数(β)是双极性晶体管的一个重要参数，它表示晶体管集电极与基极流过的电流的比值。半导体制造过程中所采用的不同工艺会使得双极型晶体管的β产生差异，此外，一个双极型晶体管的β会随温度发生变化。这使得利用双极型晶体管搭建的电路的性能会随着工艺和温度的变化而变化。如果能对双极型晶体管β值的变化进行检测，再根据β的变化情况来优化相关电路的性能，就会降低由于不同工艺以及温度的变化引入的不确定性，从而提高电路的鲁棒性。

因此，亟待产生一种对双极型晶体管的β值进行检测的方法和电路。

发明内容

针对以上技术中存在的问题，本申请提出了一种双极型晶体管电流放倍数的检测电路，包括电压提取单元，配置为提取第一双极型晶体管的基极和集电极电压；比较单元，与所述电压提取单元耦合，配置为对所述第一双极型晶体管的基极和集电极电压进行比较，并输出比较结果。

特别的，所述电压提取单元包括电流镜，配置为拷贝第一双极型晶体管基极和集电极电流。

特别的，所述电压提取单元包括与第一双极型晶体管耦合的匹配组件；其中所述匹配组件配置为通过两条电阻性支路将所述第一双极型晶体管的基极和集电极电压提取出来。

特别的，所述电压提取单元包括第一晶体管，其第一极耦合至电源，第二极耦合至所述第一双极型晶体管基极，控制极耦合至第二极；第二晶体管，其第一极耦合至电源，第二极耦合至所述第一双极型晶体管集电极，控制耦合至其第二极；第三晶体管，其第一极耦合至电源，第二极通过第一电阻接地，控制极耦合至所述第一晶体管控制极；第四晶体管，其第一极耦合至电源，第二极通过第二电阻接地，控制极耦合至所述第二晶体管控制极；其中所述第一电阻的阻值与所述第二电阻阻值之比等于第一双极型晶体管的理想放大倍数。

特别的，所述比较单元包括比较器，其正向端耦合至所述第四晶体管第二极，其反向端耦合至所述第三晶体管第二极，并配置为在所述比较器的输出端提供所述比较结果。

所述电压提取单元包括电流源，其耦合在电源以及第一节点之间；所述匹配组件包括第三电阻，耦合在所述第一双极型晶体管基极和所述第一节点之间；第四电阻，耦合在所述第一双极型晶体管集电极和所述第一节点之间；其中所述第三电阻的阻值与所述第四电阻阻值之比等于第一双极型晶体管的理想放大倍数。

特别的，所述比较单元包括比较器，其正向端耦合至所述第一双极型晶体管基极，其反向端耦合至所述第一双极型晶体管集电极，并配置为在所述比较器的输出端提供所述比较结果。

本申请还提供了一种电子设备，包括前述任一的检测电路和与其他功能电路模块，其中所述其他功能电路模块包括与所述第一双极型晶体管相同的第二双极型晶体管，其中所述其他功能电路根据所述检测电路输出的比较结果对施加给所述第二双极型晶体管的信号进行调整。

本申请还提供了一种检测双极型晶体管放大倍数的方法，包括根据待测双极型晶体管的理想放大倍数为其基极和集电极设置匹配电阻；获取所述待测双极型晶体管的基极和集电极电流并基于所述匹配电阻从而获得所述待测双极型晶体管的基极和集电极电压并进行比较；以及输出比较结果。