[发明专利]一种气体传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种气体传感器，其特征在于，包括：

衬底；

至少两个气体传感单元，位于所述衬底上，所述气体传感单元包括异质结，位于所述异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，所述气体传感单元之间的异质结相互隔断，所述功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同；

钝化层，覆盖除所述功能性膜层以外的全部器件区域。

2.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，各所述气体传感单元的异质结位于同一层且对应膜层的材料相同。

3.根据权利要求2所述的气体传感器，其特征在于，任意相邻两个所述气体传感单元之间设置有用于隔断所述异质结的隔离槽。

4.根据权利要求3所述的气体传感器，其特征在于，所述钝化层覆盖所述隔离槽的内壁。

5.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，每个所述气体传感单元还包括封装管脚；

所述封装管脚包括与所述栅极电连接的栅极管脚、与所述源极电连接的源极管脚以及与所述漏极电连接的漏极管脚。

6.根据权利要求5所述的气体传感器，其特征在于，各所述气体传感单元中的源极管脚相互电连接。

7.根据权利要求1-6任一项所述的气体传感器，其特征在于，所述功能性膜层的材料包括铂金Pt、氧化镧La₂O₃和二氧化锡SnO₂中的一种。

8.根据权利要求1-6任一项所述的气体传感器，其特征在于，所述异质结包括层叠的GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层位于所述GaN沟道层远离所述半导体衬底的一侧。

9.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成至少两个气体传感单元，其中，所述气体传感单元包括异质结，位于所述异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，所述气体传感单元之间的异质结相互隔断，所述功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同；

在所述气体传感单元上形成钝化层，其中，所述钝化层覆盖除所述功能性膜层以外的全部器件区域。

10.根据权利要求9所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成至少两个气体传感单元，包括：

在所述衬底上依次外延生长GaN沟道层和AlGaN势垒层，形成异质结；

刻蚀任意相邻两个器件区之间的异质结，直至至少贯穿所述AlGaN势垒层，形成隔离槽；

采用微纳制造工艺在各器件区的异质结上形成源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极。