[发明专利]一种气体传感器及其制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：衬底；至少两个气体传感单元，位于半导体衬底上，气体传感单元包括异质结，位于异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，气体传感单元之间的异质结相互隔断，功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同，钝化层，覆盖除功能性膜层以外的全部器件区域，实现将多个不同功能的气体传感器集成，降低成本的效果。

技术领域

本发明实施例涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种气体传感器及其制备方法。

背景技术

在气体探测系统中会大量使用多种类型的气体传感器。这些传感器因适用的测试条件不同，如测试电压、测试电流等，会被分装为不同的传感器。

通常，不同用途的气体传感器的设计都是进行单独封装设计的。这样可以获得多个具有不同功能的气体传感器，但这种单独的设计封装会提高探测系统的维护成本。

发明内容

本发明提供一种气体传感器及其制备方法，以实现将多个不同功能的气体传感器集成，降低成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种气体传感器，该气体传感器包括：衬底；至少两个气体传感单元，位于所述半导体衬底上，所述气体传感单元包括异质结，位于所述异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，所述气体传感单元之间的异质结相互隔断，所述功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同；

钝化层，覆盖除所述功能性膜层以外的全部器件区域。

第二方面，本发明实施例还提供了一种气体传感器的制备方法，该制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成至少两个气体传感单元，其中，所述气体传感单元包括异质结，位于所述异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，所述气体传感单元之间的异质结相互隔断，所述功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同；

在所述气体传感单元上形成钝化层，其中，所述钝化层覆盖除所述功能性膜层以外的全部器件区域。

本发明通过一种气体传感器，该气体传感器包括：衬底；至少两个气体传感单元，位于半导体衬底上，气体传感单元包括异质结，位于异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，气体传感单元之间的异质结相互隔断，功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同，钝化层，覆盖除功能性膜层以外的全部器件区域。解决现有的不同用途的气体传感器的设计都是进行单独封装设计会存在提高探测系统的维护成本的问题，实现将多个不同功能的气体传感器集成，降低成本的效果。

附图说明

图1是本发明实施例中的一种气体传感器的结构示意图；

图2是本发明实施例中的一种气体传感器的结构俯视示意图；

图3是本发明实施例中的一种气体传感器的异质结的结构示意图；

图4是本发明实施例中的一种气体传感器的制备方法的流程图；

图5是本发明实施例中的一种气体传感器单元的制备方法的流程图；

图6-图15为本发明实施例提供的气体传感器的制备方法各主要流程对应的气体传感器的俯视图及剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。