[发明专利]混合型存储器单元

权利要求书

1.一种混合型存储器单元，包含：

一读写元件组，电性耦接于一字符线与两位线，该两位线分别传送两个数据信号；

一储存电路，电性耦接该读写元件组；以及

一选择电路，电性耦接该读写元件组及该储存电路，该选择电路用于依据一选择电压控制该储存电路呈现一易失性存储模式，或一非易失性存储模式。

2.如权利要求1所述的混合型存储器单元，其中该储存电路包含第一可变电阻、第二可变电阻，第一晶体管与第二晶体管；其中，当该读写元件组传送该两个数据信号至该储存电路且该储存电路呈现该非易失性存储模式时，该第一可变电阻与该第二可变电阻分别依据该两个数据信号选择性地改变阻值。

3.如权利要求2所述的混合型存储器单元，其中该选择电路用于依据该选择电压控制该第一可变电阻、该第二可变电阻、该第一晶体管及该第二电晶体之间的一电性耦接状况，当该选择电路依据该选择电压控制该电性耦接状况为导通时，该储存电路呈现该易失性储存模式，而当该选择电路依据该选择电压控制该电性耦接状况为不导通时，该储存电路呈现该非易失性储存模式。

4.如权利要求2所述的混合型存储器单元，其中该些可变电阻包含相变化元件、阻变式元件。

5.如权利要求2所述的混合型存储器单元，其中该选择电路包含：

一第三晶体管，该第三晶体管的第一端电性耦接于该第一可变电阻的一端、该第二晶体管的控制端及该读写元件组，该第三晶体管的第二端电性耦接于该第一晶体管的第一端，且该第三晶体管的控制端用于接收该选择电压；以及

一第四晶体管，该第四晶体管的第一端电性耦接于该第二可变电阻的一端、该第一晶体管的控制端及该读写元件组，该第四晶体管的第二端电性耦接于该第二晶体管的第一端，且该第四晶体管的控制端用于接收该选择电压。

6.如权利要求5所述的混合型存储器单元，其中该读写元件组包含：

一第五晶体管，该第五晶体管的第一端电性耦接于该第三晶体管的该第一端，该第五晶体管的第二端电性耦接于该两位线中的一个，该第五晶体管的控制端电性耦接于该字符线；

一第六晶体管，该第六晶体管的第一端电性耦接于该第四晶体管的该第一端，该第六晶体管的第二端电性耦接于该两位线中的另一个，该第六晶体管的控制端电性耦接于该字符线。

7.如权利要求2所述的混合型存储器单元，其中该两个可变电阻的一端电性耦接于该读写元件组，该两个可变电阻的另一端用于接收一控制电压。

8.如权利要求7所述的混合型存储器单元，其中该混合型存储器单元还包含一控制器，该控制器电性耦接于该储存电路及该选择电路，且用于侦测该选择电压并依据该选择电压控制该控制电压。

9.如权利要求8所述的混合型存储器单元，其中该控制器所执行的依据该选择电压控制该控制电压包含：

当该选择电压使该储存电路呈现该易失性存储模式时，控制该控制电压具有一第一电压值；以及

当该选择电压使该储存电路呈现该非易失性存储模式时，控制该控制电压具有一第二电压值；

其中该第一电压值的绝对值大于该第二电压值的绝对值。