[发明专利]化学镀金浴

说明书

本发明涉及化学镀金浴，公开了一种化学镀金浴，该化学镀金浴含有水溶性金盐、还原剂和下式所示的膦化合物，式中，R₁、R₂、R₃各自相同或不同，为苯基或碳原子数1‑5的烷基，上述苯基及烷基的至少一个被磺酸基或其盐、氰基、或羧基或其盐取代。本发明的化学镀金浴即使在镀覆加热时间达到长时间的情况下，也可以不使用氰化合物而防止金的析出所导致的镀浴的分解，镀浴稳定性优良。

技术领域

本发明涉及一种化学镀金浴。

背景技术

镀金在印刷基板或电子部件等的安装工序中，作为要求高可靠性的用途的表面处理法而被广泛使用。作为形成金镀膜的代表性的化学镀方法，可以举出置换型镀金和置换还原型镀金。在这些方法中，前一种置换镀金是一种利用镍等的基底金属与镀浴中的氧化还原电位之差使金析出的方法。但是，由于置换反应，金将基底金属氧化(溶解)而腐蚀，因此存在金镀膜的厚膜化困难，基底金属的种类也受到限制等问题。另外，在置换型镀金中，由于基底金属在金镀膜上扩散，因此还存在引线键合(W/B)接合性降低的问题。

与此相对，后者的置换还原型镀金是在同一镀浴中进行置换反应和还原反应两者的方法，该镀金浴含有还原剂。作为上述置换还原型镀金的例子，例如有：在基底化学镀镍膜上形成置换镀金膜的化学镀镍/置换金(ENIG：Electroless Nickel Immersion Gold)、在基底化学镀镍膜与置换镀金膜之间设置化学镀钯膜的化学镀镍/化学镀钯/置换金(ENEPIG：Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold)、在化学镀钯膜上形成置换镀金膜的化学镀钯/置换金、在铜上形成直接置换镀金膜的直接置换金(DIG：Direct Immersion Gold)等。根据置换还原型镀金，可以消除上述置换型镀金引起的基底金属的腐蚀，得到被覆性优良的金镀膜。另外，能够实现金镀膜的厚膜化，也能够用于焊料接合、引线键合。

作为通过置换还原型镀金来改善基底金属的腐蚀的技术，例如可举出专利文献1和2。这些作为还原剂，可以列举甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成物、规定的胺化合物(专利文献1)；醛化合物和规定的胺化合物(专利文献2)。

另外，专利文献3是鉴于“上述专利文献2的浴稳定性差，加热保持数小时金也析出、分解”的问题而完成的，公开了在化学镀金液的加热中补给氰化钠等的氰化合物，稳定地保持镀金液中的金的溶解性的方法。专利文献4也与上述专利文献3同样，添加氰化钾等氰化物离子源作为稳定化剂。

现有技术文件

专利文献

专利文献1：日本发明专利公开公报特开2008-266668号

专利文献2：日本发明专利公开公报特开2008-144188号

专利文献3：国际公开第2016/174780号小册子

专利文献4：国际公开第2017/050662号小册子

发明内容

然而，在专利文献3和4中，由于使用毒性高的氰化合物，因此为了安全地进行镀覆处理作业，需要严格管理作业环境。因此，需要提供一种镀金浴，该镀金浴即使不使用氰化合物也能够防止镀浴的分解。

本发明是鉴于上述情况而成，其目的在于提供一种镀浴稳定性优良的化学镀金浴，该化学镀金浴即使在镀覆加热时间达到长时间的情况下，也可以不使用氰化合物而防止由于金的析出所导致的镀浴的分解。

解决上述问题的本发明涉及的化学镀金浴的构成如下。

1、一种化学镀金浴，其特征在于，该化学镀金浴含有水溶性金盐、还原剂和下式表示的膦化合物。

[化学式1]