[发明专利]三碘化物离子作为荧光剂的应用以及检测有机发光显示薄膜封装层超微裂缝的方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及三碘化物离子作为荧光剂的应用以及检测有机发光显示薄膜封装层超微裂缝的方法。本发明提供的检测有机发光显示薄膜封装层超微裂缝的方法，以三碘化物离子作为荧光物渗透到超微裂缝里，通过荧光观察来检测有机发光显示薄膜封装层的裂缝缺陷。本发明提供的检测有机发光显示薄膜封装层超微裂缝的方法，以三碘化物离子作为荧光物渗透到超微裂缝里，通过荧光观察来检测有机发光显示薄膜封装层的裂缝缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及三碘化物离子作为荧光剂的应用以及检测有机发光显示薄膜封装层超微裂缝的方法。

背景技术

针对有机发光显示(OLED)的薄膜封装(TFE)中的超微裂缝或针孔的定位，目前还没有一个十分有效的方法。这些超微裂缝或针孔的尺寸为20-30纳米。目前的定位方法主要是FIB/TEM。这个方法的效率非常低下。因此，需要一个高效、快捷的新方法。

发明内容

目前针对有机发光显示(OLED)的薄膜封装(TFE)中的超微裂缝或针孔的定位，还没有一个十分有效的方法。这些超微裂缝或针孔的尺寸为20-30纳米。目前的定位方法主要是FIB(聚焦离子束)/TEM(透射电子显微镜)，该方法的效率非常低下。因此，需要一个高效、快捷的新方法。

而在荧光分子渗透法中，所使用的荧光分子较大(＞3nm)和荧光显微镜分辨率不够(＞100nm)，对于20纳米级缺陷无法探测。

本发明基于三碘化物离子(尺寸为0.6纳米)作为荧光剂，通过渗透进入有机发光显示薄膜封装层超微裂缝或针孔，再结合超高分辨荧光显微镜分析(最高分辨率为20纳米)，从而高效、快捷地定位裂缝或针孔。

本发明的第一方面的技术方案提供三碘化物离子作为荧光剂的应用。

进一步地，所述三碘化物离子的激发波长为350-420nm。

本发明的第二方面的技术方案提供一种检测有机发光显示薄膜封装层超微裂缝的方法，对有机发光显示薄膜封装层渗透三碘化物离子，通过检测激发的荧光来判断所述有机发光显示薄膜封装层的超微裂缝。

本发明提供的检测有机发光显示薄膜封装层超微裂缝的方法，以三碘化物离子作为荧光物渗透到超微裂缝里，通过荧光观察来检测有机发光显示薄膜封装层的裂缝缺陷。

在一些可能的实施方式中，采用配置的三碘化物离子溶液浸泡所述有机发光显示薄膜封装层来对所述有机发光显示薄膜封装层渗透三碘化物离子。

在一些可能的实施方式中，所述三碘化物离子溶液的浓度为 10-1000ppm。

在一些可能的实施方式中，所述三碘化物离子溶液浸泡所述有机发光显示薄膜封装层的时间为0.1-100小时。

在一些可能的实施方式中，所述有机发光显示薄膜封装层在用所述三碘化物离子溶液浸泡前还采用有机溶剂擦拭，使其表面洁净。

在一些可能的实施方式中，所述有机发光显示薄膜封装层浸泡所述三碘化物离子溶液后进行清洗和干燥，然后进行检测。

在一些可能的实施方式中，所述清洗采用溶剂淋洗，去除表面多余的三碘化物离子残留，所述溶剂优选为去离子水或乙醇。

在一些可能的实施方式中，所述检测采用超高分辨荧光显微镜进行。

在一些可能的实施方式中，所述检测前还进行切割，优选采用飞秒激光切割：优选切割至大小为1-5cm×1-5cm。

本发明与现有技术相比至少具有以下有益效果：

(1)本发明首次提出以三碘化物离子作为荧光剂。

(2)本发明独创性地采用荧光离子的方法检测有机发光显示 (OLED)的薄膜封装(TFE)中的超微裂缝或针孔缺陷。