[发明专利]混合中介体及半导体封装件

说明书

本公开提供一种混合中介体及半导体封装件，所述半导体封装件包括：中介体，包括芯基板和连接结构，所述芯基板具有腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面连接的贯通过孔，并且所述连接结构包括位于所述芯基板的上表面上的绝缘构件和位于所述绝缘构件上的重新分布层；半导体芯片，位于所述连接结构的上表面上，并且包括连接到所述重新分布层的连接垫；无源组件，容纳在所述腔中；第一绝缘层，设置在所述芯基板与所述连接结构之间；第一布线层，位于所述第一绝缘层上，并且将所述贯通过孔和所述无源组件连接到所述重新分布层；第二绝缘层，位于所述芯基板的下表面上；以及第二布线层，位于所述第二绝缘层的下表面上，并且连接到所述贯通过孔。

本申请要求于2019年3月4日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0024733号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种混合中介体及包括该混合中介体的半导体封装件。

背景技术

随着装置的规格的提高和高带宽存储器(HBM)的使用，中介体市场不断增长。目前，主要将硅用作中介体的材料，但为了增大面积并降低成本，已经进行了对玻璃或有机形成工艺的开发。

在高性能的半导体封装件中，无源组件(诸如，电容器)需要设置在与半导体芯片相邻的区域中，以改善由于寄生电感的产生导致的功率噪声和功率完整性。

发明内容

本公开的一方面可提供一种混合中介体以及包括该混合中介体的半导体封装件，其中，无源组件可嵌在所述混合中介体中。

根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括：中介体，包括芯基板和连接结构，所述芯基板具有至少一个腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面彼此连接的贯通过孔，并且所述连接结构包括设置在所述芯基板的上表面上的绝缘构件和设置在所述绝缘构件上的重新分布层；至少一个半导体芯片，设置在所述中介体的所述连接结构的上表面上，并且包括连接到所述重新分布层的连接垫；无源组件，容纳在所述至少一个腔中；第一绝缘层，设置在所述芯基板与所述连接结构之间，并且将所述无源组件包封在所述至少一个腔中；第一布线层，设置在所述第一绝缘层上，并且将所述贯通过孔和所述无源组件连接到所述重新分布层；第二绝缘层，设置在所述芯基板的下表面上；以及第二布线层，设置在所述第二绝缘层的下表面上，并且连接到所述贯通过孔。

根据本公开的另一方面，一种混合中介体可包括：芯基板，具有至少一个腔，并且具有使所述芯基板的上表面和下表面彼此连接的贯通过孔；无源组件，容纳在所述至少一个腔中；第一绝缘层，设置在所述芯基板的上表面上，并且将所述无源组件包封在所述至少一个腔中；第一布线层，设置在所述第一绝缘层上，并且连接到所述贯通过孔和所述无源组件；第二绝缘层，设置在所述芯基板的下表面上；第二布线层，设置在所述第二绝缘层的下表面上，并且连接到所述贯通过孔；以及连接结构，包括绝缘构件和重新分布层，所述绝缘构件设置在所述芯基板的上表面上，所述重新分布层设置在所述绝缘构件上并且连接到所述第一布线层。

根据本公开的另一方面，一种半导体封装件可包括：中介体，包括芯基板和连接结构，所述芯基板具有至少一个腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面彼此连接的贯通过孔，无源组件嵌在所述至少一个腔中，并且所述连接结构包括设置在所述芯基板的上表面上的绝缘构件和设置在所述绝缘构件上的重新分布层；多个半导体芯片，设置在所述连接结构的上表面上，并且包括连接到所述重新分布层的连接垫；第一绝缘层，设置在所述芯基板与所述连接结构之间，并且将所述无源组件包封在所述至少一个腔中；第一布线层，设置在所述第一绝缘层上，并且将所述贯通过孔和所述无源组件连接到所述重新分布层；第二绝缘层，设置在所述芯基板的下表面上；以及第二布线层，设置在所述第二绝缘层的下表面上，并且连接到所述贯通过孔。在平面图中，所述至少一个腔中的一个腔可与所述多个半导体芯片中的彼此相邻的两个或更多个半导体芯片叠置。

附图说明