[发明专利]晶圆打点方法和重定位方法有效
申请号: | 202010142412.4 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111312645B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 马勇;梁锦昌;张伟;门洪达 | 申请(专利权)人: | 广西天微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L23/544 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 罗平 |
地址: | 542800 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 打点 方法 定位 | ||
1.一种晶圆打点方法,包括:
获取晶圆的中测文件;
根据所述中测文件选择打点区域,并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值,所述打点区域包括至少两个不相邻设置的标记区,所述打点区域包含的晶粒数小于所述晶圆包含的不良晶粒数,所述打点区域的晶粒修改后的分组值与所述打点区域外相邻设置的晶粒的分组值均不相同;
根据修改后的所述中测文件,对晶圆进行打点;
其中,所述根据所述中测文件选择打点区域,并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值,包括:
获取预设的打点图形和预设的标记区数量;根据所述中测文件,生成第一晶圆图;根据所述打点图形,在第一晶圆图中选择预设数量的所述标记区;修改所述标记区的晶粒的分组值为设定值;所述标记区的形状与所述打点图形相同,且所述标记区中的晶粒均标记为不良晶粒;或
导出所述中测文件至打点区域生成软件;根据所述中测文件,生成第一晶圆图;在所述第一晶圆图中选择标记区位置,并插入预设的打点图形;设定插入所述打点图形的区域为标记区;修改中测文件中所述标记区的晶粒的分组值为设定值;导出修改后的所述中测文件至打点机台。
2.根据权利要求1所述的晶圆打点方法,其特征在于,所述打点区域包括两个所述标记区,两个所述标记区设于晶圆的两个不同的象限中。
3.根据权利要求1所述的晶圆打点方法,其特征在于,所述打点图形为直角三角形。
4.根据权利要求3所述的晶圆打点方法,其特征在于,定义晶圆的定位凹槽与中心的连线方向为Y方向,与所述Y方向垂直的方向为X方向;
所述直角三角形的第一直角边平行于晶圆的X方向,第二直角边平行于晶圆的Y方向,所述第一直角边和第二直角边包含的晶粒数量相同,均包含3个~9个晶粒。
5.根据权利要求1所述的晶圆打点方法,其特征在于,所述打点区域包括的所述标记区的数量与所述晶圆包含的晶粒总数成正比。
6.一种晶圆重定位方法,包括:
获取第一机台生成的晶圆的中测文件;
根据所述中测文件选择打点区域,并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值,所述打点区域包括至少两个不相邻设置的标记区,所述打点区域包含的晶粒数小于所述晶圆包含的不良晶粒数,所述打点区域的晶粒修改后的分组值与所述打点区域外相邻设置的晶粒的分组值均不相同;
根据修改后的所述中测文件,对晶圆进行打点;
导出修改后的所述中测文件,并导入第二机台;
移动晶圆至第二机台;
根据修改后的所述中测文件和打点晶粒,重定位所述晶圆;
其中,所述根据所述中测文件选择打点区域,并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值,包括:
获取预设的打点图形和预设的标记区数量;根据所述中测文件,生成第一晶圆图;根据所述打点图形,在第一晶圆图中选择预设数量的所述标记区;修改所述标记区的晶粒的分组值为设定值;所述标记区的形状与所述打点图形相同,且所述标记区中的晶粒均标记为不良晶粒;或
导出所述中测文件至打点区域生成软件;根据所述中测文件,生成第一晶圆图;在所述第一晶圆图中选择标记区位置,并插入预设的打点图形;设定插入所述打点图形的区域为标记区;修改中测文件中所述标记区的晶粒的分组值为设定值;导出修改后的所述中测文件至打点机台。
7.根据权利要求6所述的晶圆重定位方法,其特征在于,所述根据修改后的所述中测文件和打点晶粒,对准所述晶圆的步骤,包括:
根据修改后的所述中测文件,生成第二晶圆图;
标记所述第二晶圆图中分组值为设定值的区域为对准区;
移动晶圆,使所述打点晶粒与所述对准区重合。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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