[发明专利]晶圆打点方法和重定位方法有效
申请号: | 202010142412.4 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111312645B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 马勇;梁锦昌;张伟;门洪达 | 申请(专利权)人: | 广西天微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L23/544 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 罗平 |
地址: | 542800 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 打点 方法 定位 | ||
本发明涉及一种晶圆打点方法和重定位方法,晶圆打点方法包括:获取晶圆的中测文件;根据所述中测文件选择打点区域,并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值;根据修改后的所述中测文件,对晶圆进行打点;其中,所述打点区域包含的晶粒数小于所述晶圆包含的不良晶粒数,所述打点区域的晶粒修改后的分组值与所述打点区域外相邻设置的晶粒的分组值均不相同。通过选择恰当的打点区域,并对所述打点区域中的晶粒进行打点,一方面可以利用打点晶粒在晶圆移动至其他机台时进行对准,从而保证了重定位的对准精度;另一方面也减少了需要打墨点的晶粒数量,节省了打点工艺所需的材料和时间,从而实现了对准精度和打点效率之间的平衡。
技术领域
本发明涉及芯片制造技术领域,特别是涉及一种晶圆打点方法和重定位方法。
背景技术
随着半导体机台的不断进步,晶圆流片尺寸往越来越大的方向发展,比如目前国内常用的8寸和12寸晶圆,而且半导体器件制备的工艺水平也朝着更小的纳米量级发展,这些都使得芯片的集成化程度越来越高。芯片的整个制造过程中包括光刻、腐刻、电镀处理、化学机械表面处理、中测、减薄划片、固晶、封装等一系列流程,如果其中一个步骤出现差错,就可能导致后面整个流程出现差错,既影响产能又浪费资源,因此每个过程都应该严格控制。
固晶是通过胶体(对于LED来说一般是导电胶或绝缘胶)把晶片粘结在支架的指定区域,形成热通路或电通路,为后序的打线连接提供条件的工序。操作人员将中测后的晶圆移动至固晶机台后,需要对晶圆进行重新定位,使晶粒与中测文件中的坐标信息相吻合,以确保固晶工艺制程的操作准确性。
目前有两种常用的定位方法,第一种是根据打墨点后的晶圆片进行粘片固晶,这种方式的定位精度高,发生定位错误的概率较低,但是需要耗费较多的打点材料和时间。第二种是根据中测文件(包含所有晶圆颗粒的位置信息和Bin信息)直接进行粘片固晶,这种方法省去了打墨点环节,但是对操作人员提出了更高的要求。晶圆缺口是人工对准时的重点识别区域,如果在缺口附近存在不良晶粒,缺口处的不完整晶粒和缺口附近的不良晶粒反映在中测文件中的分组值相同,因此会干扰操作人员的识别,从而导致缺口位置识别错误,进而使整片晶圆的晶粒位置出现偏差,影响生产效率。
发明内容
基于此,有必要针对现有的晶圆打点工艺耗时长、重定位效率低的问题,提供一种晶圆打点方法和重定位方法。
为了实现本发明的目的,本发明采用如下技术方案:
一种晶圆打点方法,包括:
获取晶圆的中测文件;
根据所述中测文件选择打点区域,并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值;
根据修改后的所述中测文件,对晶圆进行打点;
其中,所述打点区域包含的晶粒数小于所述晶圆包含的不良晶粒数,所述打点区域的晶粒修改后的分组值与所述打点区域外相邻设置的晶粒的分组值均不相同。
在其中一个实施例中,所述打点区域包括至少两个不相邻设置的标记区。
在其中一个实施例中,所述打点区域包括两个所述标记区,两个所述标记区设于晶圆的两个不同的象限中。
在其中一个实施例中,所述根据所述中测文件选择打点区域,并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值的步骤,包括:
获取预设的打点图形和预设的标记区数量;
根据所述中测文件,生成第一晶圆图;
根据所述打点图形,在第一晶圆图中选择预设数量的所述标记区;
修改所述标记区的晶粒的分组值为设定值;
其中,所述标记区的形状与所述打点图形相同,且所述标记区中的晶粒均标记为不良晶粒。
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