[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

设置在基板的上表面的N型的第1阱区域和P型的第2阱区域；

设置在所述第1阱区域的PMOS晶体管；以及

设置在所述第2阱区域的NMOS晶体管，

所述PMOS晶体管具备：

设置在所述第1阱区域上的第1栅极绝缘层；和

设置在所述第1栅极绝缘层上的第1栅电极，

所述NMOS晶体管具备：

设置在所述第2阱区域上的第2栅极绝缘层；和

设置在所述第2栅极绝缘层上的第2栅电极，

所述第1栅电极具备：

P型的第1半导体层；

设置在所述第1半导体层上的第1绝缘层；以及

设置在所述第1绝缘层上的第1导电体层，

所述第2栅电极具备：

N型的第2半导体层；

设置在所述第2半导体层上的第2绝缘层；以及

设置在所述第2绝缘层上的第2导电体层，

所述第1绝缘层的膜厚比所述第2绝缘层的膜厚厚。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述PMOS晶体管还具备设置在所述第1阱区域的上表面的P型的第1扩散层以及第2扩散层，

所述第1栅极绝缘层设置在所述第1扩散层与所述第2扩散层之间的所述第1阱区域上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述NMOS晶体管还具备设置在所述第2阱区域的上表面的N型的第3扩散层以及第4扩散层，

所述第2栅极绝缘层设置在所述第3扩散层与所述第4扩散层之间的所述第2阱区域上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：

设置在所述第1导电体层上的第1插塞；和

设置在所述第2导电体层上的第2插塞。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第1栅电极还具备含有碳的P型的第3半导体层，所述第3半导体层设置在所述第1栅极绝缘层与所述第1半导体层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第2栅电极还具备含有碳的N型的第4半导体层，所述第4半导体层设置在所述第2半导体层与所述第2绝缘层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：

第1布线层，其设置在所述PMOS晶体管以及所述NMOS晶体管的上方；

多个第2布线层，其分离地层叠在所述第1布线层的上方；以及

第5半导体层，其穿过所述多个第2布线层，与所述第1布线层连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，还具备：

电荷蓄积层，其设置在所述多个第2布线层与所述第5半导体层之间；

第4绝缘层，其设置在所述多个第2布线层与所述电荷蓄积层之间；以及

第3绝缘层，其设置在所述电荷蓄积层与所述第5半导体层之间。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，

所述第2栅电极还具备含有碳的N型的第4半导体层，所述第4半导体层设置在所述第2半导体层与所述第2绝缘层之间。

10.一种半导体装置，具备：

设置在基板的上表面的N型的第1阱区域；和

设置在所述第1阱区域的PMOS晶体管，

所述PMOS晶体管具备：

设置在所述第1阱区域上的第1栅极绝缘层；和

设置在所述第1栅极绝缘层上的第1栅电极，

所述第1栅电极具备：

含有碳的P型的第1半导体层；

设置在所述第1半导体层上的P型的第2半导体层；

设置在所述第2半导体层上的第1绝缘层；以及

设置在所述第1绝缘层上的第1导电体层。