[发明专利]用于提供多级纠错的技术在审
| 申请号： | 202010143019.7 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111796964A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴微;R.孙达拉姆;C.乔汉;J.B.坎;冨嶋茂樹;S.斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 提供 多级 纠错 技术 | ||
1.一种存储器，包括：
耦合到存储器介质的介质访问电路，其中所述介质访问电路要：
从所述存储器介质读取数据；以及
利用位于所述介质访问电路中的纠错逻辑单元对读取的数据执行纠错以产生经纠错的数据。
2.根据权利要求1所述的存储器，其中，对所述读取的数据执行纠错包括利用位于与所述存储器介质相同的管芯上的纠错逻辑单元对所述读取的数据执行所述纠错。
3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述纠错逻辑单元不同于位于存储器控制器中的第二纠错逻辑单元，并且对所述读取的数据执行纠错包括利用配置成与所述第二纠错逻辑单元相比对更小的数据集进行操作的纠错逻辑单元执行所述纠错。
4.根据权利要求1所述的存储器，其中，对所述读取的数据执行纠错包括对来自所述存储器介质的四个分区的数据执行所述纠错。
5.根据权利要求1所述的存储器，其中，对所述读取的数据执行纠错包括对512位的读取数据执行所述纠错。
6.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器还包括存储器控制器，并且所述存储器控制器要对所述经纠错的数据执行额外纠错。
7.根据权利要求6所述的存储器，其中，所述存储器控制器还要向所述存储器位于其中的计算装置的处理器提供所述经纠错的数据。
8.根据权利要求1所述的存储器，其中，从所述存储器介质读取数据包括从具有交叉点架构的存储器介质读取数据。
9.根据权利要求8所述的存储器，其中，从所述存储器介质读取数据包括从具有三维交叉点架构的存储器介质读取数据。
10.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述介质访问电路还要将所述经纠错的数据写入到高速暂存。
11.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述介质访问电路还要对所述经纠错的数据执行存储器内计算操作。
12.根据权利要求11所述的存储器，其中，对所述经纠错的数据执行存储器内计算操作包括对所述经纠错的数据执行张量运算。
13.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述介质访问电路由互补金属氧化物半导体（CMOS）形成。
14.一种存储器，包括：
用于利用耦合到存储器介质的介质访问电路从所述存储器介质读取数据的部件；以及
用于对读取的数据执行纠错以产生经纠错的数据的部件。
15.根据权利要求14所述的存储器，其中，所述用于对所述读取的数据执行纠错的部件包括用于利用位于与所述存储器介质相同的管芯上的纠错逻辑单元对所述读取的数据执行所述纠错的部件。
16.根据权利要求14所述的存储器，其中，所述用于对所述读取的数据执行纠错的部件包括用于对来自所述存储器介质的四个分区的数据执行所述纠错的部件。
17.根据权利要求14所述的存储器，其中，所述用于对所述读取的数据执行纠错的部件包括用于对512位的读取数据执行所述纠错的部件。
18.根据权利要求14所述的存储器，还包括用于在存储器控制器中对所述经纠错的数据执行额外纠错的部件。
19.根据权利要求18所述的存储器，其中，所述存储器控制器包括用于向所述存储器位于其中的计算装置的处理器提供所述经纠错的数据的部件。
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