[发明专利]恩曲替尼的晶型及其制备方法

权利要求书

1.一种恩曲替尼晶型5，其化学式如式(Ι)所示：

其特征在于，该晶型为无水晶型，其以2θ角度表示的X-射线粉末衍射图在7.5±0.2°、8.3±0.2°、13.8±0.2°、15.0±0.2°、17.4±0.2°和20.1±0.2°处有衍射峰；其差示扫描热图在148.2±5℃处具有吸热峰。

2.如权利要求1所述的恩曲替尼晶型5，其特征在于，其以2θ角度表示的X-射线粉末衍射图，还在如下一个或多个2θ角度处有衍射峰：11.6±0.2°、12.2±0.2°、17.0±0.2°、21.2±0.2°、22.6±0.2°、23.7±0.2°、24.5±0.2°,

以2θ角表示的X-射线粉末衍射图的晶面间距和峰高相对强度如下所示：

3.如权利要求1或2所述的恩曲替尼晶型5，其特征在于，

其具有说明书附图图1所示的X射线粉末衍射图谱，

和/或，其具有说明书附图图2所示的差示扫描量热曲线，

和/或，其具有说明书附图图3所示的热重分析曲线，在150±5℃处失重为0.03％。

4.如权利要求1-3中任一项所述恩曲替尼晶型5的制备方法，其特征在于，将无定型恩曲替尼在室温下溶解于三氯甲烷中，缓慢挥发后所得固体粉末为恩曲替尼晶型5。

5.如权利要求1-3中任一项所述恩曲替尼晶型5的制备方法，其特征在于，将无定型恩曲替尼升温至40-60℃溶解于二甲基亚砜中，降温至室温析出，过滤所得固体粉末为恩曲替尼晶型5。

6.一种恩曲替尼晶型6，其特征在于，该晶型为无水晶型，其以2θ角度表示的X-射线粉末衍射图在8.0±0.2°、8.8±0.2°、9.4±0.2°、13.2±0.2°、14.0±0.2°、14.5±0.2°、15.3±0.2°、16.2±0.2°、17.7±0.2°、19.1±0.2°、19.7±0.2°、20.7±0.2°、21.6±0.2°、22.8±0.2°、23.5±0.2°、24.2±0.2°、25.2±0.2°和28.1±0.2°处有衍射峰；其差示扫描热图在160.0±5℃处具有吸热峰。

7.如权利要求6所述的恩曲替尼晶型6，其特征在于，以2θ角表示的X-射线粉末衍射图的晶面间距和峰高相对强度如下所示：

8.如权利要求6或7所述的恩曲替尼晶型6，其特征在于，

其具有说明书附图图4所示的X射线粉末衍射图谱，

和/或，其具有说明书附图图5所示的差示扫描量热曲线，

和/或，其具有说明书附图图6所示的热重分析曲线，在120.0±5℃处失重为0.36％。

9.如权利要求6-8中任一项所述恩曲替尼晶型6的制备方法，其特征在于，将无定型恩曲替尼或恩曲替尼晶型5在室温下溶解于溶剂中，缓慢挥发后所得固体粉末为恩曲替尼晶型6，

所述溶剂选自丙酮、乙酸甲酯或二氯甲烷中的一种。

10.如权利要求6-8中任一项所述恩曲替尼晶型6的制备方法，其特征在于，将无定型恩曲替尼或恩曲替尼晶型5在室温下溶解于溶剂中进行打浆转晶，所得固体粉末为恩曲替尼晶型6，

所述溶剂为丙酮或乙酸乙酯。

11.如权利要求6-8中任一项所述恩曲替尼晶型6的制备方法，其特征在于，将无定型恩曲替尼或恩曲替尼晶型5在室温下溶解于二氯甲烷中，滴加环己烷析出固体，过滤得到的固体粉末为恩曲替尼晶型6。