[发明专利]基板载体设备、基板处理设备以及调节基座温度的方法

说明书

一种基板处理设备的示例包括：基板载体设备，其包括轴、固定在轴上并配置为随着轴旋转而旋转的至少一个载体臂和固定在载体臂上的至少一个温度计；基座；加热器，其加热基座；温度调节器，其控制加热器；以及控制单元，其通过使载体臂靠近基座获取由温度计获得的基座的测量温度并控制温度调节器，该测量温度是表面温度。

技术领域

描述的示例涉及基板载体设备、基板处理设备以及调节基座温度的方法。

背景技术

晶片处理条件之一是基座加热器(以下有时简称为加热器)的温度设定。进行加热器的温度设定以将基座上的基板的温度设定在期望的温度。为了将基板的温度设定在期望的温度，基于具有偏移的参考值来控制加热器。

确定偏移可能需要很长时间。例如，执行一系列操作，包括将室中的压力升高至大气压，降低基座的温度，打开室，将带有其中嵌入温度计的温度测量晶片放置在基座上，关闭室，升高基座的温度，将室中的压力降低至接近真空的压力，测量温度测量晶片的温度并从室中取出温度测量晶片。

将温度测量晶片的测量温度与配方(recipe)中指定的所需晶片处理温度之间的差距值记录为偏移数据。在处理产品基板时，基于偏移数据修改所需晶片处理温度。

然而，使用上述温度测量晶片的方法涉及较长的停机时间用于打开和关闭室以及升高和降低室中的温度，因此不能频繁执行。为此，通过利用更换加热器的机会来更新偏移数据。因此，即使加热器的温度和基板的温度之间的差随着设备的状态随时间变化而变化，偏移数据也会继续使用。结果，可能在长时间不理想的温度下处理基板。

发明内容

本文描述的一些示例可以解决上述问题。本文描述的一些示例可以提供允许将基板的温度设定在期望温度的基板载体设备、基板处理设备以及调节基座温度的方法。

在一些示例中，基板载体设备包括轴、固定在轴上并配置为随着轴旋转而旋转的至少一个载体臂以及固定在载体臂上的至少一个温度计。

附图说明

图1是表示基板处理设备的示例的平面图；

图2是表示基板处理设备的示例的侧视图；

图3是载体臂的剖视图；

图4是表示载体臂的示例的平面图；

图5表示温度计的布置的示例；

图6表示用于轴的旋转的布置的示例；

图7是流程图；以及

图8是通过映射获得的数据的图示。

具体实施方式

参照附图，对基板载体设备、基板处理设备以及调节基座温度的方法进行描述。相同或相应的部件将由相同的附图标记表示，并且可以省略其冗余描述。

图1是示出基板处理设备的配置的示例的平面图。基板处理设备包括基座10、12、14和16。基板处理设备包括将基板供应到基座10、12、14和16并从基座10、12、14和16移除基板的基板载体设备20。基板载体设备20可包括轴20A和固定在轴20A上并随着轴20A旋转而旋转的载体臂20B、20C、20D和20E。基板载体设备20具有至少一个载体臂。随着轴20A旋转，载体臂20B、20C、20D和20E绕轴20A旋转。载体臂20B、20C、20D和20E在x-y平面中移动。

上述布置被包围在壳体22中。例如，基板处理设备可以是四室模块(QCM)。QCM可以在保持在相同温度的四个基座10、12、14和16上的四个基板上执行相同的处理。在基板上执行的处理例如可以是使用等离子体的膜沉积、使用等离子体的蚀刻或通过等离子体的膜改性。