[发明专利]具有栅极插塞或接触部插塞的自对准栅极端盖（SAGE）架构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一半导体鳍状物上方的第一栅极结构；

第二半导体鳍状物上方的第二栅极结构；

栅极端盖隔离结构，所述栅极端盖隔离结构在所述第一导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间，并且横向地处于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构接触；

栅极插塞，所述栅极插塞在所述栅极端盖隔离结构上方，并且横向地处于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；以及

晶体金属氧化物材料，所述晶体金属氧化物材料横向地处于所述栅极插塞和所述第一栅极结构之间并与所述栅极插塞和所述第一栅极结构接触，并且所述晶体金属氧化物材料横向地处于所述栅极插塞和所述第二栅极结构之间并与所述栅极插塞和所述第二栅极结构接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述晶体金属氧化物材料包括钛和氧。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述晶体金属氧化物材料是导电的。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述晶体金属氧化物材料至少部分地是多晶或微晶的。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括上部局部栅极接触部和下部栅电极，并且其中，所述晶体金属氧化物材料还垂直地处于所述上部局部栅极接触部和所述下部栅电极之间。

6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述栅极插塞与所述栅极端盖隔离结构垂直地不对准。

7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述栅极插塞具有大于所述栅极端盖隔离结构的宽度的宽度。

8.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：

所述第一半导体鳍状物上方的第一沟槽接触结构；

所述第二半导体鳍状物上方的第二沟槽接触结构，所述栅极端盖隔离结构横向地处于所述第一沟槽接触结构和所述第二沟槽接触结构之间；

沟槽接触部插塞，所述沟槽接触部插塞在所述栅极端盖隔离结构上方，并且横向地处于所述第一沟槽接触结构和所述第二沟槽接触结构之间；以及

第二晶体金属氧化物材料，所述第二晶体金属氧化物材料横向地处于所述沟槽接触部插塞和所述第一栅极结构之间并与所述沟槽接触部插塞和所述第一栅极结构接触，并且所述第二晶体金属氧化物材料横向地处于所述沟槽接触部插塞和所述第二栅极结构之间并与所述沟槽接触部插塞和所述第二栅极结构接触。

9.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物穿过衬底之上的沟槽隔离区突出，并且其中，所述栅极端盖隔离结构在所述沟槽隔离区上。

10.一种集成电路结构，包括：

第一半导体鳍状物上方的第一沟槽接触结构；

第二半导体鳍状物上方的第二沟槽接触结构；

栅极端盖隔离结构，所述栅极端盖隔离结构在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间，并且横向地处于所述第一沟槽接触结构和所述第二沟槽接触结构之间并与所述第一沟槽接触结构和所述第二沟槽接触结构接触；

沟槽接触部插塞，所述沟槽接触部插塞在所述栅极端盖隔离结构上方，并且横向地处于所述第一沟槽接触结构和所述第二沟槽接触结构之间；以及

晶体金属氧化物材料，所述晶体金属氧化物材料横向地处于所述沟槽接触部插塞和所述第一沟槽接触结构之间并与所述沟槽接触部插塞和所述第一沟槽接触结构接触，并且所述晶体金属氧化物材料横向地处于所述沟槽接触部插塞和所述第二沟槽接触结构之间并与所述沟槽接触部插塞和所述第二沟槽接触结构接触。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述晶体金属氧化物材料包括钛和氧。