[发明专利]摄像面板及其制造方法在审
申请号: | 202010146874.3 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111668244A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种摄像面板,其特征在于,具备:
光电转换层;
无机绝缘膜,其覆盖上述光电转换层的表面的一部分,在俯视时与上述光电转换层重叠的位置具有第1开口;
有机绝缘膜,其覆盖上述无机绝缘膜的表面的一部分,具有俯视时与上述第1开口重叠并且开口宽度大于上述第1开口的第2开口;
保护膜,其在上述第2开口的内侧覆盖于未被上述有机绝缘膜覆盖的上述无机绝缘膜上;以及
电极,其覆盖上述保护膜、以及上述第1开口的内侧的上述光电转换层的表面,
上述保护膜相对于包含酸的蚀刻剂的蚀刻速率等于或大于上述无机绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的摄像面板,
还具备偏置配线,上述偏置配线在上述有机绝缘膜上配置于俯视时与上述光电转换层不重叠的位置,
上述保护膜在俯视时与上述偏置配线重叠的位置具有上述偏置配线连接用开口,并且上述保护膜覆盖上述偏置配线的侧面,
上述电极在上述偏置配线连接用开口中与上述偏置配线连接。
3.根据权利要求2所述的摄像面板,
上述偏置配线是层叠多个金属膜而构成的,
上述多个金属膜中的配置在与上述有机绝缘膜相反的一侧的最表面的金属膜包括对酸具有耐性的金属材料。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的摄像面板,
上述保护膜覆盖上述有机绝缘膜的整个表面。
5.一种摄像面板的制造方法,其特征在于,包含:
在基板上形成光电转换层的工序;
在上述光电转换层上形成无机绝缘膜的工序;
在上述无机绝缘膜上形成有机绝缘膜,并在俯视时与上述光电转换层重叠的位置形成上述有机绝缘膜的开口的工序;
形成覆盖上述无机绝缘膜和上述有机绝缘膜的表面的保护膜的工序;
形成贯通上述无机绝缘膜和上述保护膜的接触孔的工序,上述接触孔在俯视时与上述光电转换层重叠,开口宽度小于上述有机绝缘膜的开口;以及
形成电极的工序,上述电极覆盖上述接触孔中的上述光电转换层的表面、以及上述保护膜的表面的一部分,
上述保护膜相对于包含酸的蚀刻剂的蚀刻速率等于或大于上述无机绝缘膜,
上述接触孔是通过使用上述蚀刻剂对上述无机绝缘膜和上述保护膜进行蚀刻来形成的。
6.根据权利要求5所述的摄像面板的制造方法,
还包含在形成上述电极前清洗上述光电转换层的表面的工序。
7.根据权利要求5或6所述的摄像面板的制造方法,还包含:
在形成上述有机绝缘膜后,在上述有机绝缘膜上,在俯视时与上述光电转换层不重叠的位置形成偏置配线的工序;以及
在形成上述保护膜后,在俯视时与上述偏置配线重叠的位置形成上述偏置配线连接用开口的工序,
上述电极在上述偏置配线连接用开口中与上述偏置配线连接。
8.根据权利要求7所述的摄像面板的制造方法,
形成上述接触孔的工序与形成上述偏置配线连接用开口的工序同时进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的