[发明专利]摄像面板及其制造方法在审
申请号: | 202010146874.3 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111668244A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 面板 及其 制造 方法 | ||
一种摄像面板及其制造方法,摄像面板(1)具备光电转换层(15),通过在光电转换层(15)上具有第1开口(105a)的无机绝缘膜(105)覆盖光电转换层(15)的表面的一部分。在无机绝缘膜(105)上,设置有具有开口宽度大于第1开口(105a)的第2开口(106a)的有机绝缘膜(106),在第2开口(106a)的内侧,保护膜(107)覆盖未被有机绝缘膜(106)覆盖的无机绝缘膜(105)的表面。保护膜(107)相对于包含酸的蚀刻剂的蚀刻速率等于或大于无机绝缘膜(105)。第1开口(105a)中的光电转换层(15)的表面、以及保护膜(107)的表面由电极(14b)覆盖。
技术领域
以下所公开的发明涉及摄像面板及其制造方法。
背景技术
在特开2011-159781号公报中公开了一种光电转换装置,在上述光电转换装置中以矩阵状配置有作为光电转换元件的光电二极管和薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下也称为“TFT”。)。该光电二极管具备一对电极,其中一个电极与TFT连接,另一个电极与偏置配线连接。
发明内容
在如上所述的光电二极管中,在一对电极之间设置有作为光电转换层的半导体层。在制造光电转换装置时,在形成了一个电极之后,形成半导体层,之后在半导体层上形成另一个电极。当在半导体层的表面附着有自然氧化物的状态下形成电极时,在电极与半导体层之间容易产生接触不良等。因此,期望在形成电极前使用氢氟酸等清洗半导体层的表面。然而,在如上述的光电转换装置那样,光电二极管的表面的一部分由包括硅氮化物等的绝缘膜覆盖并在绝缘膜上设置平坦化膜的情况下,由于清洗处理,有时绝缘膜的表面的一部分会被蚀刻,而在平坦化膜与绝缘膜之间形成台阶或间隙。如果在该状态下在半导体层上形成电极,则电极容易在平坦化膜与绝缘膜之间所形成的台阶或间隙的部分中变得不连续。如果电极有不连续的部分,则电极与半导体层之间会产生接触不良,而无法得到适当的检测结果。
以下所公开的发明的目的在于提供一种摄像面板,不易产生光电转换层与电极的接触不良,不易产生检测不良。
解决上述问题的摄像面板具备:光电转换层;无机绝缘膜,其覆盖上述光电转换层的表面的一部分,在俯视时与上述光电转换层重叠的位置具有第1开口;有机绝缘膜,其覆盖上述无机绝缘膜的表面的一部分,具有俯视时与上述第1开口重叠并且开口宽度大于上述第1开口的第2开口;保护膜,其在上述第2开口的内侧覆盖于未被上述有机绝缘膜覆盖的上述无机绝缘膜上;以及电极,其覆盖上述保护膜、以及上述第1开口的内侧的上述光电转换层的表面,上述保护膜相对于包含酸的蚀刻剂的蚀刻速率等于或大于上述无机绝缘膜。
根据本发明,不易产生光电转换层与电极的接触不良,不易产生检测不良。
附图说明
图1是示出第1实施方式中的X射线摄像装置的概略构成的示意图。
图2是示出图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。
图3是将图2所示的摄像面板的一个像素进行了放大的俯视图。
图4是图3所示的A-A线的像素的截面图。
图5A是示出图4所示的摄像面板的制造工序的截面图,是示出在TFT上形成第1绝缘膜的工序的截面图。
图5B是示出形成第1绝缘膜的开口的工序的截面图。
图5C是示出形成第2绝缘膜的工序的截面图。
图5D是示出形成第2绝缘膜的开口的工序的截面图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010146874.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于流体通道的在流动技术上经压力损失优化的封闭元件
- 下一篇:显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的