[发明专利]高速导热传感器

权利要求书

1.一种高速导热传感器，其特征在于，包括：

一隔离层；

一热感应薄膜，包覆于该隔离层内；以及

两个第一电极层，包覆于该隔离层内，且分别设置于该热敏感应层之两个电极。

2.如权利要求1所述的高速导热传感器，更包括两个第二电极层，分别连接该第一电极层，且该第二电极层外露于该隔离层外。

3.如权利要求2所述的高速导热传感器，其特征在于，所述两个第二电极层更连接至一电路板，该电路板上更设有至少一散热单元。

4.如权利要求3所述的高速导热传感器，其特征在于，该散热单元为散热穿孔。

5.如权利要求3所述的高速导热传感器，其特征在于，该散热单元为金属块。

6.如权利要求3所述的高速导热传感器，其特征在于，该散热单元为氮化铝(AlN)散热块。

7.如权利要求3所述的高速导热传感器，其特征在于，该第二电极层以及该电路板之间更设有一连接单元，以将该第二电极层连接于该电路板上。

8.如权利要求1所述的高速导热传感器，其特征在于，更包括一基板相邻设置于该隔离层，以支撑该隔离层。

9.如权利要求8所述的高速导热传感器，其特征在于，该基板为硅基板、蓝宝石(sapphire)基板、氮化铝(AlN)基板、氧化铝(Al₂O₃)基板或氮化硅(Si₃N₄)基板。

10.如权利要求1所述的高速导热传感器，其特征在于，该隔离层为氮化铝(AlN)隔离层、氮化硅(Si₃N₄)隔离层或氧化铝(Al₂O₃)隔离层。

11.如权利要求1所述的高速导热传感器，其特征在于，该热感应薄膜为氧化钒(VO_x)热感应薄膜、氧化锰热感应薄膜、氧化镍热感应薄膜或氧化钴热感应薄膜。