[发明专利]IGBT模块封装方法及装置在审
| 申请号： | 202010147805.4 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111341670A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王景宁;陈毅豪 | 申请（专利权）人： | 山东斯力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/67;B23K1/00;B23K3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 模块 封装 方法 装置 | ||
1.一种IGBT模块封装方法，其特征在于，包括：
在真空环境下焊接所述IGBT模块。
2.根据权利要求1所述的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
在焊接过程中，采用甲酸作为还原剂去除回流焊中的氧化膜。
3.根据权利要求2所述的IGBT模块封装方法，其特征在于，甲酸还原氧化膜的反应方式如下：
MO+HCOOH＝M+H2O+CO2；
M表示甲酸可还原的金属；HCOOH表示甲酸。
4.根据权利要求1所述的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
在脱泡过程中，利用压缩法产生压力差将空洞收缩到焊锡内部。
5.根据权利要求1所述的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
对废气中的甲酸进行无害化处理。
6.一种IGBT模块封装装置，其特征在于，包括：
焊接模块，用于在真空环境下焊接所述IGBT模块。
7.根据权利要求6所述的IGBT模块封装装置，其特征在于，所述装置还包括：
还原模块，用于在焊接过程中，采用甲酸作为还原剂去除回流焊中的氧化膜。
8.根据权利要求7所述的IGBT模块封装装置，其特征在于，甲酸还原氧化膜的反应方式如下：
MO+HCOOH＝M+H2O+CO2；
M表示甲酸可还原的金属；HCOOH表示甲酸。
9.根据权利要求6所述的IGBT模块封装装置，其特征在于，所述装置还包括：
脱沟模块，用于在在脱泡过程中，利用压缩法产生压力差将空洞收缩到焊锡内部。
10.根据权利要求6所述的IGBT模块封装装置，其特征在于，所述装置还包括：
废气处理模块，用于对废气中的甲酸进行无害化处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东斯力微电子有限公司，未经山东斯力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010147805.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
