[发明专利]IGBT模块封装方法及装置

说明书

本申请是关于一种IGBT模块封装方法及装置。一种IGBT模块封装方法，包括：在真空环境下焊接所述IGBT模块。本申请实施例中通过形成真空环境，并在真空环境下焊接IGBT模块，有利于减少焊接处空洞的数量。并且，本实施例中通过在焊接环境中输入氮气，利用大气压和空洞内气体的压力差使空洞封装收缩到焊锡内部，可以抑制空洞，防止焊锡飞溅。

技术领域

本申请涉及功率器件制造技术领域，尤其涉及一种IGBT模块封装方法及装置。

背景技术

在电力电子产业领域中，绝缘栅双极晶体管IGBT模块作为一款新型功率半导体器件，具有自关断特点，因此将IGBT模块看作电路开关，用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电电路，并广泛应用到轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

绝缘栅双极晶体管IGBT模块封装中最关键的工艺是焊接工艺，因此焊接的质量直接影响到IGBT模块的可靠性和使用寿命。参见图1，IGBT模块的传统焊接方式是利用助焊剂作为还原剂去除回流焊炉中的氧化膜。同时，采用传统脱泡法，先在大气压中焊锡熔融，再进行真空减压，使IGBT模块的焊接部位中的空洞向外排出。

然而，相关技术中在采用上述工艺时，向外排出空洞时易产生焊锡飞溅，造成空洞率较大，导致IGBT模块的可靠性下降，降低其使用寿命。

发明内容

本申请提供一种IGBT模块封装方法及装置，以解决相关技术的不足。

根据本申请实施例提供一种IGBT模块封装方法，包括：

在真空环境下焊接所述IGBT模块。

可选地，所述方法还包括：

在焊接过程中，采用甲酸作为还原剂去除回流焊中的氧化膜。

可选地，甲酸还原氧化膜的反应方式如下：

MO+HCOOH＝M+H₂O+CO₂；

M表示甲酸可还原的金属；HCOOH表示甲酸。

可选地，所述方法还包括：

在脱泡过程中，利用压缩法产生压力差将空洞收缩到焊锡内部。

可选地，所述方法还包括：

对废气中的甲酸进行无害化处理。

根据本申请实施例提供一种IGBT模块封装装置，包括：

焊接模块，用于在真空环境下焊接所述IGBT模块。

可选地，所述装置还包括：

还原模块，用于在焊接过程中，采用甲酸作为还原剂去除回流焊中的氧化膜。

可选地，甲酸还原氧化膜的反应方式如下：

MO+HCOOH＝M+H₂O+CO₂；

M表示甲酸可还原的金属；HCOOH表示甲酸。

可选地，所述装置还包括：

脱沟模块，用于在在脱泡过程中，利用压缩法产生压力差将空洞收缩到焊锡内部。

可选地，所述装置还包括：

废气处理模块，用于对废气中的甲酸进行无害化处理。

本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：