[发明专利]晶圆的检测方法和检测设备有效
申请号: | 202010148408.9 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111293052B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 丁小叶;王思聪;周毅 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/24 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 方法 设备 | ||
1.一种晶圆的检测方法,其特征在于,包括:
在待检测晶圆的表面形成阻挡层;其中,所述阻挡层用于阻挡检测光信号;
在所述待检测晶圆的部分区域形成参考面;
向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号;
向所述参考面照射参考光信号;
接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号;
接收所述参考面反射所述参考光信号得到的参考反射光;
根据所述反射光信号和所述参考反射光,确定所述晶圆的表面形貌信息。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层,包括:
至少在所述待检测晶圆的表面上消光系数低于预设值的区域的所述待检测晶圆的表面,形成所述阻挡层。
3.根据权利要求1或2所述的检测方法,其特征在于,所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层,包括:
在所述待检测晶圆的表面沉积氮化钨,形成所述阻挡层。
4.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述根据所述反射光信号和所述参考反射光,确定所述晶圆的表面形貌信息,包括:
根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息,确定所述晶圆的表面形貌信息。
5.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,
所述参考光信号与所述检测光信号具有相同频率和相位。
6.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,所述根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息,确定所述晶圆的表面形貌信息,包括:
根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息,确定所述晶圆表面的不同位置的高度信息;
根据所述高度信息,确定所述晶圆的表面形貌信息。
7.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,所述根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息,确定所述晶圆的表面形貌信息,包括:
通过将所述反射光信号与所述参考反射光汇聚形成干涉条纹,并通过干涉条纹计算出两束光的光程差,确定所述阻挡层表面各点到反射光信号检测位置之间的距离信息;
根据所述距离信息,确定所述晶圆的表面形貌信息。
8.一种晶圆的检测方法,其特征在于,包括:
在待检测晶圆的表面形成阻挡层;其中,所述阻挡层用于阻挡检测光信号;
在平行于所述待检测晶圆表面的平面内、且在所述待检测晶圆的部分区域,形成参考面;
向所述阻挡层的表面以及参考面照射所述检测光信号;
接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到反射光信号;
接收所述参考面反射所述检测光信号得到参考光信号;
根据所述反射光信号和所述参考光信号,确定所述晶圆的表面形貌信息。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在平行于所述待检测晶圆表面的平面内、且在所述待检测晶圆的部分区域,形成参考面,包括:
在所述待检测晶圆的所述阻挡层的部分区域进行研磨,形成所述参考面。
10.根据权利要求9所述的检测方法,其特征在于,所述根据所述反射光信号和所述参考光信号,确定所述晶圆的表面形貌信息,包括:
根据所述反射光信号与所述参考光信号形成的干涉信息,确定所述晶圆的表面形貌信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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