[发明专利]晶圆的检测方法和检测设备

说明书

本申请实施例公开了一种晶圆的检测方法和检测设备。该检测方法包括：在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号；接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号；根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

技术领域

本申请实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种晶圆的检测方法和检测设备。

背景技术

在半导体器件的生产过程中，需要对晶圆进行多道复杂的处理工序，采用多层沉积、光刻等方法在晶圆表面形成图形化的薄膜，然后构成各种电学元器件以及电路结构等。在此过程中，需要保证每一层工艺的品质，及时发现不良点，因此，晶圆的检测是半导体制造工艺中不可缺少的重要环节。相关技术中，可以通过光学方法检测晶圆的表面形貌，进而实现晶圆表面的缺陷的检测，然而，现有的表面形貌检测方法受限于检测表面膜层的材料类型，对于透明膜层难以实现准确检测。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆的加工设备和加工系统。

第一方面，本申请提供一种晶圆的检测方法，包括：

在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号；

接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号；

根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层，包括：

至少在所述待检测晶圆的表面上消光系数低于预设值的区域的所述待检测晶圆的表面，形成所述阻挡层。

在一些实施例中，所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层，包括：

在所述待检测晶圆的表面沉积氮化钨，形成所述阻挡层。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述方法还包括：

将与所述检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号照射至参考面；

接收所述参考面反射所述参考光信号得到的所述参考反射光。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆表面的不同位置的高度信息；

根据所述高度信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

通过将所述反射光信号与所述参考反射光汇聚形成干涉条纹，并通过干涉条纹计算出两束光的光程差，确定所述阻挡层表面各点到反射光信号检测位置之间的距离信息；

根据所述距离信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

第二方面，本申请提供另一种晶圆的检测方法，包括：

在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

在平行于所述晶圆表面的平面内，形成参考面；

向所述阻挡层的表面以及参考面照射所述检测光信号；