[发明专利]切割带和带有粘接薄膜的切割带在审
申请号: | 202010149735.6 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN111662646A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;杉村敏正;福井章洋 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/24 | 分类号: | C09J7/24;C09J133/08;C09J163/00;C09J133/00;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/683;H01L21/78 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 带有 薄膜 | ||
1.一种切割带,其为具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带,
所述粘合剂层含有玻璃化转变温度为-43℃以下的基础聚合物。
2.根据权利要求1所述的切割带,其中,所述基础聚合物为丙烯酸类聚合物。
3.根据权利要求1或2所述的切割带,其中,所述粘合剂层的厚度为5μm以上且40μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的切割带,其-15℃下的断裂伸长率为300%以上。
5.根据权利要求1或2所述的切割带,其-15℃下的断裂强度为15N/10mm以上。
6.一种带有粘接薄膜的切割带,其具有:
权利要求1~5中任一项所述的切割带;和,
以能剥离的方式与所述切割带中的所述粘合剂层密合的粘接薄膜。
7.根据权利要求6所述的带有粘接薄膜的切割带,其中,所述粘接薄膜的25℃下的断裂强度为5N/10mm以下,25℃下的断裂伸长率为100%以下。
8.根据权利要求6或7所述的带有粘接薄膜的切割带,其用于半导体晶圆的割断工序。
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