[发明专利]切割带和带有粘接薄膜的切割带

说明书

[课题]提供：冷扩展工序中将切割带扩展时不易产生断裂的切割带、和带有粘接薄膜的切割带。[解决方案]本发明的切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。本发明的带有粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)和粘接薄膜(20)的层叠结构。粘接薄膜(20)以能剥离的方式与切割带(10)的粘合剂层(12)密合。粘合剂层(12)含有玻璃化转变温度为‑43℃以下的基础聚合物。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造过程中能使用的切割带和带有粘接薄膜的切割带。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，在得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有粘接薄膜的半导体芯片时，有时使用带有粘接薄膜的切割带。带有粘接薄膜的切割带例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和以能剥离的方式密合于其粘合剂层侧的粘接薄膜。粘接薄膜具有大于作为工件的半导体晶圆的尺寸的圆盘形状，例如对于具有大于该粘接薄膜的尺寸的圆盘形状的切割带以同心圆状粘贴在其粘合剂层侧。切割带的粘合剂层中，在未被粘接薄膜覆盖的粘接薄膜周围的区域，能粘附SUS制的环框。环框为如下构件：在粘附于切割带的状态下在各种装置所具备的输送臂等输送机构输送工件时机械地抵接。

作为使用带有粘接薄膜的切割带而得到带有粘接薄膜的半导体芯片的方法之一，已知有如下方法：经由用于将带有粘接薄膜的切割带中的切割带扩展而割断粘接薄膜的工序。该方法中，首先，在带有粘接薄膜的切割带中，以在切割带粘合剂层的粘接薄膜周围的区域粘附有环框的状态，在粘接薄膜上粘贴半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与粘接薄膜的割断同时被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的粘接薄膜产生分别密合于半导体芯片的多个粘接薄膜小片的方式将该粘接薄膜割断，使用规定的扩展装置，在低温下(例如-20℃～0℃)沿晶圆径向对带有粘接薄膜的切割带的切割带进行扩展(冷扩展工序)。该冷扩展工序中，粘接薄膜上的半导体晶圆中的对应于粘接薄膜割断部位的部位也产生割断，在带有粘接薄膜的切割带或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片。接着，经过用于扩展带有粘接薄膜的切割带上的芯片间的间隔距离的切割带的扩展(分离扩展)后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的粘接薄膜一同从切割带的下侧被拾取机构的销构件顶起，然后从切割带上拾取(拾取工序)。这样，得到带有粘接薄膜的半导体芯片。该带有粘接薄膜的半导体芯片借助该粘接薄膜通过芯片接合固着在安装基板等被粘物上。对于例如如上述那样使用的带有粘接薄膜的切割带相关的技术，记载于例如下述的专利文献1、2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述的冷扩展工序中将切割带扩展时，张力集中在特别是粘接薄膜和切割带中的、半导体晶圆的外周侧面的延长面与环框的内周侧面的延长面之间的部分，有时在切割带中产生断裂。冷扩展工序时如果在切割带中产生断裂，则从切割带传递的张力被中断，因此，产生无法进行半导体晶圆、粘接薄膜的割断的不良情况。另外，切割带的断裂如果变大，则难以进入下一工序。

本发明是基于以上那样的情况而作出的，其目的在于，提供：冷扩展工序中将切割带扩展时不易产生断裂的切割带、和带有粘接薄膜的切割带。

用于解决问题的方案