[发明专利]阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202010150656.7 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111384239A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 康赐俊;沈鼎瀛;刘宇;邱泰玮;王丹云 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变式 存储器 以及 制造 方法 | ||
1.一种阻变式存储器，其特征在于，包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。
2.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述底电极本体为多个，多个所述底电极本体沿设定方向间隔排列，相邻两个所述底电极本体之间具有设定距离。
3.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述底电极本体为氮化钛材质。
4.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述顶电极为氮化钛材质。
5.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述阻变层为二氧化铪材质。
6.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述介电层为二氧化硅材质。
7.一种阻变式存储器的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底层上沉积形成待加工层；
对所述待加工层进行刻蚀以形成锥形的底电极本体，并使所述锥形的尖端背向所述衬底层且位于设定位置处；
在所述衬底层上沉积介电层，并使所述介电层包覆所述底电极本体以形成底电极层；
在底电极层上沉积形成阻变层，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层；
在所述阻变层上沉积形成顶电极。
8.根据权利要求7所述的阻变式存储器的制造方法，其特征在于，对所述待加工层进行刻蚀以形成锥形的底电极本体，并使所述锥形的尖端背向所述衬底层且位于设定位置处，包括：
对所述待加工层进行刻蚀以形成多个锥形的底电极本体，并使所述锥形的尖端背向所述衬底层且位于设定位置处，多个所述底电极本体沿设定方向间隔排列，相邻两个所述底电极本体之间具有设定距离。
9.根据权利要求7所述的阻变式存储器的制造方法，其特征在于，所述底电极本体和顶电极为氮化钛材质，所述介电层为二氧化硅材质。
10.根据权利要求7所述的阻变式存储器的制造方法，其特征在于，所述阻变层为二氧化铪材质。
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