[发明专利]阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法

说明书

本发明提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法，其中，阻变式存储器包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。本发明可提高阻变式存储器的使用效果。

技术领域

本发明涉及电子设备技术，尤其涉及一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法。

背景技术

随着科学技术的发展，阻变式存储器的应用越来越广泛。

现有的阻变式存储器包括顶电极、底电极和阻变层，阻变层夹设于顶电极和底电极之间，通过对阻变式存储器外加电压，能够在阻变层中形成导电丝。

然而，现有的阻变式存储器在阻变层中所形成的导电丝位置随机且大小差异较大，导致阻变式存储器的高阻态和低阻态的分布较大，从而使高阻态和低阻态存在重叠区域，造成高阻态和低阻态无法判断的情况，影响阻变式存储器的使用效果。

发明内容

本发明提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法，以提高阻变式存储器的使用效果。

本发明一方面提供一种阻变式存储器，包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。

本发明另一方面提供一种阻变式存储器的制造方法，包括：在衬底层上沉积形成待加工层；对所述待加工层进行刻蚀以形成锥形的底电极本体，并使所述锥形的尖端背向所述衬底层且位于设定位置处；在所述衬底层上沉积介电层，并使所述介电层包覆所述底电极本体以形成底电极层；在底电极层上沉积形成阻变层，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层；在所述阻变层上沉积形成顶电极。

基于上述，本发明提供的阻变式存储器，由于底电极本体呈锥形，且锥形的尖端朝向阻变层并位于设定位置处，当对阻变式存储器外加电压时，电场会集中在锥形尖端的位置处，而导电丝会形成在电场集中的位置，因此导电丝会在阻变层中与锥形尖端相对应的位置处形成，由此避免了导电丝位置随机且大小差异较大的问题，从而能够缩小阻变式存储器高阻态和低阻态的分布，利于增加可判断空间，提高阻变式存储器的使用效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种阻变式存储器的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阻变式存储器在形成导电丝后的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阻变式存储器的制造方法的工艺流程图。

附图标记：

101：顶电极； 102：底电极层； 103：阻变层；

104：底电极本体； 105：介电层； 201：导电丝。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一