[发明专利]一种晶粒尺寸可控ITO陶瓷靶材的制备方法

权利要求书

1.一种晶粒尺寸可控ITO陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

将质量份数为90~97的In₂O₃粉体和质量份数为10~3的SnO₂粉体，与去离子水、稀释剂、粘结剂和高分子材料用砂磨机球磨混合，得到固含量在70~80%之间、粘度在120~300mpa.s之间的ITO陶瓷浆料，且所述ITO陶瓷浆料中混合粉体的平均粒径D50控制在200~300nm；其中，所述In₂O₃粉体的一次颗粒粒径分布范围为80~200nm，所述SnO₂粉体的一次颗粒粒径分布范围为80~200nm，所述稀释剂为聚丙烯酸类或聚羧酸类稀释剂，所述粘结剂为阿拉伯树胶、聚乙烯醇或丙烯酸树脂，所述高分子材料为聚丙烯酰胺；

ITO陶瓷浆料经压力注浆成形，得到相对密度为58~62%的ITO陶瓷生坯体；

ITO陶瓷生坯体经一体化脱脂烧结处理，得到ITO陶瓷靶材；其中，所述一体化脱脂烧结处理具体包括：

将ITO陶瓷生坯体放入脱脂烧结一体化炉；

将脱脂烧结一体化炉以升温速率1～3℃/min加热至脱脂温度700~800℃，将ITO陶瓷靶材在常压氧气氛中进行脱脂处理，脱脂时间设定为12～36小时；

将脱脂烧结一体化炉从脱脂温度以升温速率2～5 ℃/min升温到第一烧结温度1600～1650℃；

升温到第一烧结温度后，在第一烧结温度保温0～60min，随即开始将脱脂烧结一体化炉从第一烧结温度以降温速率8～16 ℃/min降低到第二烧结温度1500～1540℃，将ITO靶材在第二烧结温度、常压氧气氛中进行烧结处理，保温12～36小时，最终得到ITO陶瓷靶材。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述In₂O₃粉体和所述SnO₂粉体的质量份数为90和10。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述In₂O₃粉体和所述SnO₂粉体的质量份数为95和5。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述In₂O₃粉体和所述SnO₂粉体的质量份数为93和7。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述球磨混合在真空负压条件下进行，负压压力不大于9Pa。