[发明专利]一种基于多维纳米材料的封装膏体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010153063.6 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111354514B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 唐宏浩;张卫红;黄显机;叶怀宇;张国旗 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/02;B23K37/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 代理人: 彭随丽
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 多维 纳米 材料 封装 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述纳米材料包括至少两种不同维度的纳米金属,包括以下制备步骤:

第一步:在第一纳米金属线,和/或第一纳米金属片表面刻蚀孔洞,形成第二纳米金属线,和/或第二纳米金属片,所述孔洞直径为10nm~40nm;

第二步:采用第一溶剂清洗第一纳米金属颗粒、第二纳米金属线,和/或第二纳米金属片,得到第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线,和/或第三纳米金属片;

第三步:混合第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线,和/或第三纳米金属片得到第一混合物,将所述第一混合物与第二溶剂混合得到第二混合物;

第四步:浓缩处理第二混合物得到封装膏体。

2.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:第一纳米金属颗粒、第二纳米金属线以及第二纳米金属片的质量比为8-10:3-5:4。

3.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述第二纳米金属线长度为30μm~50μm,直径为40nm,所述第二纳米金属片长度为50μm~250μm,厚度为10nm~2nm,所述第一纳米金属颗粒尺寸为10nm~500μm。

4.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述纳米金属采用金、银、铜中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述纳米金属颗粒为核壳结构,核部分金属选自金、银、铜中的一种,壳部分金属选自锡、铋、铱、钛中的一种或者多种。

6.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述刻蚀为干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述第一溶剂包括有机溶剂和清洗剂,所述有机溶剂选自乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙二醇中的任一种;所述清洗剂选自抗坏血酸、柠檬酸、磷酸二氢钠中的任一种;所述有机溶剂与所述清洗剂的质量比例为15-25:1。

8.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述第一混合物与第二溶剂的质量比为0.5-1:0.2-0.4;所述第二溶剂包括有机酸、树脂、第三溶剂,所述第三溶剂选自乙醇、异丙醇、松油醇、乙二醇、丙三醇、一缩二乙二醇中的任一种。

9.如权利要求8所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述有机酸、树脂、第三溶剂的质量比为0.05-0.1:0.01-0.03:0.2-0.5。

10.一种如权利要求1-9任一项所述的基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法制备的封装膏体,其特征在于:纳米金属占材料重量的75%-85%。

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