[发明专利]杀菌消毒LED制备工艺

权利要求书

1.一种杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二半导体层；

所述第一半导体层包括依次设置在所述缓冲层上的3D氮化镓层、2D氮化镓层、N型氮化镓层，所述3D氮化镓层、2D氮化镓层、N型氮化镓层至少其中之一为复合结构，所述复合结构由第一氮化镓层与第二氮化镓层交替层叠设置而成，所述第一氮化镓层、第二氮化镓层分别由第一生长阶段、第二生长阶段形成，所述第一生长阶段生长速率逐渐升高，所述第二生长阶段生长速率逐渐降低；所述发光层包括交替设置在所述第一半导体层上的多个发光垒层和多个发光阱层，所述发光垒层和所述发光阱层交替层叠设置，第一个发光垒层位于所述N型氮化镓层上，所述第二半导体层位于最后一个发光垒层上，发光垒层数量比发光阱层数量多一个。

2.如权利要求1所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段生长速率逐渐升高速率等于所述第二生长阶段生长速率逐渐降低速率。

3.如权利要求1或2所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段平均生长速率等于所述第二生长阶段平均生长速率。

4.如权利要求3所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段生长时间等于所述第二生长阶段生长时间。

5.如权利要求4所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段腔体压力等于所述第二生长阶段腔体压力。

6.如权利要求5所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段通入腔体氨气流量等于所述第二生长阶段通入腔体氨气流量。

7.如权利要求1所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段生长温度逐渐升高，所述第二生长阶段生长温度逐渐降低。

8.如权利要求7所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段生长温度逐渐升高速率与生长速率逐渐升高速率保持同步，所述第二生长阶段生长温度逐渐降低速率与生长速率逐渐降低速率保持同步。

9.如权利要求8所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段生长温度逐渐升高速率等于所述第二生长阶段生长温度逐渐降低速率。

10.如权利要求9所述的杀菌消毒LED制备工艺，其特征在于，所述第一生长阶段平均生长温度等于所述第二生长阶段平均生长温度。