[发明专利]杀菌消毒LED制备工艺

说明书

本发明提供了一种杀菌消毒LED制备工艺，包括提供一衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；通过在第一半导体层中形成第一氮化镓层与第二氮化镓层交替层叠的复合结构，形成第一氮化镓层过程中生长速率逐渐升高，应力缓慢累积，位错、缺陷密度慢慢增大，形成第二氮化镓层过程中生长速率逐渐降低，应力逐步释放，位错、缺陷渐渐弥合，利用第一氮化镓层与第二氮化镓层两种不同的渐变式生长速率来调节内部应力、位错及缺陷，进而提高LED性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种杀菌消毒LED制备工艺。

背景技术

LED(LightingEmittingDiode)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光，在此基础上，利用三基色原理，添加荧光粉，可以发出任意颜色的光。

深紫外LED凭借安全、环保、小巧、高效、低耗等性能优势被市场认可，在净水器、母婴产品、空调、冰箱及其他高端消费品等领域均已见端倪。深紫外线杀菌消毒原理是深紫外线能破坏微生物体内遗传物质DNA或者RNA分子结构，导致细菌无法繁殖甚至失活，从而达到杀菌消毒的目的。

节能、寿命长、维护成本低，深紫外LED杀菌器正逐渐取代市场上普遍的汞灯紫外杀菌器，重要原因之一是紫外LED功耗较低，十分节能，深紫外LED功率大约是汞灯十分之一，这一比率大大节省了成本；体积小、设计灵活、安装方便，深紫外LED器件，其杀菌装置设计灵活，可以应用在传统紫外汞灯无法应用的狭小空间。

外延作为制备深紫外LED最初一环对性能有着决定性的影响。现有工艺在制备深紫外LED依然存在诸多不足，如材料内部应力大等。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种杀菌消毒LED制备工艺，能够有效提高LED性能。

本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种杀菌消毒LED制备工艺，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二半导体层；

所述第一半导体层包括依次设置在所述缓冲层上的3D氮化镓层、2D氮化镓层、N型氮化镓层，所述3D氮化镓层、2D氮化镓层、N型氮化镓层至少其中之一为复合结构，所述复合结构由第一氮化镓层与第二氮化镓层交替层叠设置而成，所述第一氮化镓层、第二氮化镓层分别由第一生长阶段、第二生长阶段形成，所述第一生长阶段生长速率逐渐升高，所述第二生长阶段生长速率逐渐降低；所述发光层包括交替设置在所述第一半导体层上的多个发光垒层和多个发光阱层，所述发光垒层和所述发光阱层交替层叠设置，第一个发光垒层位于所述N型氮化镓层上，所述第二半导体层位于最后一个发光垒层上，发光垒层数量比发光阱层数量多一个。

可选的，所述第一生长阶段生长速率逐渐升高速率等于所述第二生长阶段生长速率逐渐降低速率。

可选的，所述第一生长阶段平均生长速率等于所述第二生长阶段平均生长速率。

可选的，所述第一生长阶段生长时间等于所述第二生长阶段生长时间。

可选的，所述第一生长阶段腔体压力等于所述第二生长阶段腔体压力。

可选的，所述第一生长阶段通入腔体氨气流量等于所述第二生长阶段通入腔体氨气流量。

可选的，所述第一生长阶段生长温度逐渐升高，所述第二生长阶段生长温度逐渐降低。