[发明专利]包括层叠的半导体芯片的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

基板；

设置在所述基板上方的第一中介层；

在所述第一中介层的一侧设置在所述基板上的第一芯片层叠物，其中，该第一芯片层叠物包括以在第一方向上偏移的方式层叠的多个第一半导体芯片；

设置在所述第一芯片层叠物上的第二芯片层叠物，其中，该第二芯片层叠物包括以在与所述第一方向相反的第二方向上偏移的方式层叠的多个第二半导体芯片；以及

在所述第一中介层的另一侧设置在所述基板上的第三芯片层叠物，其中，该第三芯片层叠物包括以在所述第二方向上偏移的方式层叠的多个第三半导体芯片，

其中，所述第一中介层与在所述第一方向上突出超过所述第一芯片层叠物的所述第二芯片层叠物的底表面接触，

其中，所述第三芯片层叠物的厚度大于所述第一芯片层叠物的厚度和所述第二芯片层叠物的厚度之和，并且

其中，所述第三芯片层叠物在所述第一中介层的至少一部分上方延伸，以使得所述第一中介层的所述至少一部分位于所述第三芯片层叠物下方的空间中。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一中介层电连接在所述第二芯片层叠物与所述基板之间。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一芯片层叠物通过位于所述第一芯片层叠物的一侧的第一互连器电连接到所述基板，所述第一芯片层叠物的一侧与所述第一芯片层叠物的另一侧的相对侧对应，其中，所述第一芯片层叠物的另一侧更靠近所述第一中介层，并且

所述第三芯片层叠物通过位于所述第三芯片层叠物的另一侧的第三互连器电连接到所述基板，其中，所述第三芯片层叠物的另一侧与所述第三芯片层叠物的一侧相对，其中，所述第三芯片层叠物的一侧更靠近所述第一中介层。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一中介层具有与所述第一芯片层叠物相同的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括设置在所述第三芯片层叠物上的第四芯片层叠物，其中，该第四芯片层叠物包括以在所述第一方向上偏移的方式层叠的多个第四半导体芯片。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

第三中介层，该第三中介层与在所述第二方向上突出超过所述第三芯片层叠物的所述第四芯片层叠物的底表面接触；以及

第二中介层，该第二中介层设置在所述第三中介层与所述第一中介层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述第三芯片层叠物的厚度等于所述第一中介层的厚度、第二中介层的厚度和第三中介层的厚度之和。

8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，

所述第一中介层电连接在所述第二芯片层叠物与所述基板之间，并且电连接在所述第二中介层与所述基板之间；

所述第二中介层电连接在所述第一中介层与所述第三中介层之间；并且

所述第四芯片层叠物通过所述第三中介层、所述第二中介层和所述第一中介层电连接到所述基板。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第一中介层包括：

设置在相对靠近所述第二芯片层叠物的一侧的一侧第一通孔结构，其中，所述第二芯片层叠物和所述基板通过所述一侧第一通孔结构电连接；以及

设置在相对远离所述第二芯片层叠物的一侧的另一侧第一通孔结构，其中，所述第二中介层和所述基板通过所述另一侧第一通孔结构电连接，

其中，所述第二中介层包括：

电连接到所述另一侧第一通孔结构的第二连接端子；以及

形成在未形成所述一侧第一通孔结构的区域中的第一虚设图案。