[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

第一堆叠主体，其中多个第一导电层在半导体衬底上方沿第一方向以一定间隔堆叠；

第二堆叠主体，其中多个第二导电层在所述半导体衬底上方沿所述第一方向以一定间隔堆叠；

第一缝隙，其沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第一缝隙沿垂直于所述第一和第二方向的第三方向隔离所述第一堆叠主体和所述第二堆叠主体；

第一导柱群组，其包含多个第一导柱，所述多个第一导柱沿所述第一方向穿过所述第一堆叠主体，并且由大体上相同的材料形成，且具有大体上相同的截面积；以及

第二导柱群组，其包含多个第二导柱，所述多个第二导柱沿所述第一方向穿过所述第二堆叠主体，并且由与所述第一导柱的所述材料大体上相同的材料形成，且具有与所述第一导柱的所述截面积大体上相同的截面积，

所述第一堆叠主体包含：

第一区域，其中未设置所述第一导柱群组；

第二区域，其沿所述第二方向与所述第一区域相邻，并且其中设置所述第一导柱群组；以及

第三区域，其沿所述第二方向与所述第二区域相邻，并且其中设置所述第一导柱群组，所述第三区域经配置以使得所述第一导柱和所述第一导电层之间的相交部分充当存储器单元晶体管，且

所述第二堆叠主体包含：

第四区域，其中未设置所述第二导柱群组；

第五区域，其沿所述第二方向与所述第四区域相邻，并且其中设置所述第二导柱群组；以及

第六区域，其沿所述第二方向与所述第五区域相邻，并且其中设置所述第二导柱群组，所述第六区域经配置以使得所述第二导柱和所述第二导电层之间的相交部分充当存储器单元晶体管，

其中

沿所述第三方向与所述第一缝隙相邻的所述第一导柱和所述第二导柱沿所述第三方向设置在被包含在所述第二和第五区域中且与所述第一和第四区域相邻的位置，并且沿所述第三方向与所述第一缝隙相邻的所述第一导柱到所述第一缝隙的距离和沿所述第三方向与所述第一缝隙相邻的所述第二导柱到所述第一缝隙的距离大体上相同，并且

沿所述第三方向与所述第一缝隙相邻的所述第一导柱和所述第二导柱沿所述第三方向设置在所述第三和第六区域中，并且沿所述第三方向与所述第一缝隙相邻的所述第一导柱到所述第一缝隙的距离和沿所述第三方向与所述第一缝隙相邻的所述第二导柱到所述第一缝隙的距离不同。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中设置在所述第二区域和沿着所述第二方向的行中的所述第一导柱之间的距离根据与所述第三区域相隔的距离而变化。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中设置在所述第五区域和沿着所述第二方向的另一行中的所述第二导柱之间的距离根据与所述第六区域相隔的距离而变化。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第二区域的所述第一导柱群组的密度不同于所述第三区域的所述第一导柱群组的密度，且

所述第二区域的所述第一导柱群组的密度不同于所述第五区域的所述第二导柱群组的密度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中沿所述第二方向在所述第二区域的所述第一导柱群组的所述第一导柱之间的间距朝向所述第一区域逐渐增大。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中沿所述第二方向在所述第五区域的所述第二导柱群组的所述第二导柱之间的间距朝向所述第四区域逐渐增大。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中布置在被包含在所述第二区域中且与所述第一区域相邻的列中的所述第一导柱群组和布置在被包含在所述第五群组中且与所述第四区域相邻的列中的所述第二导柱群组布置成线对称的，其中插入了所述第一缝隙。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中所述第三区域中的所述第一导柱群组和所述第六区域中的所述第二导柱群组布置成不对称的，其中插入了所述第一缝隙。