[发明专利]一种光电感测器及其制造方法

权利要求书

1.一种光电感测器的制造方法，其包括：

(1)提供具有多个感测区和多个焊盘的半导体衬底，并将盖玻璃通过间隔件黏合到所述半导体衬底的上表面；

(2)在所述半导体衬底的下表面形成多个盲孔，所述多个盲孔与所述多个焊盘一一对应，且所述多个盲孔与所述多个焊盘之间留有间隔区；

(3)对间隔区进行原位离子掺杂以在所述多个盲孔与所述多个焊盘之间形成掺杂接触区；

(4)在所述下表面沉积形成绝缘层并进行图案化，所述绝缘层仅覆盖所述下表面和所述多个盲孔的侧壁；在图案化步骤中，同时修复掺杂所造成的间隔区表面缺陷；

(5)在所述绝缘层上形成布线层，所述布线层电连接至所述掺杂接触区且延伸至所述下表面；

(6)在所述下表面形成树脂密封层，所述树脂密封层填充所述多个盲孔且覆盖所述下表面，所述树脂密封层在所述下表面具有开口，多个凸块形成于所述开口中；

其中，在步骤(5)与步骤(6)之间，还包括形成应力缓冲材料，所述应力缓冲材料形成于所述多个盲孔的底部且位于所述布线层之下。

2.根据权利要求1所述的光电感测器的制造方法，其特征在于：所述布线层的材质为金属，在步骤(5)中，还包括退火工艺，以在所述布线层与所述掺杂接触区之间形成金属硅化物层。

3.根据权利要求1所述的光电感测器的制造方法，其特征在于：所述应力缓冲材料为拉应力的氮化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的光电感测器的制造方法，其特征在于：所述掺杂接触区的掺杂元素为磷或砷。

5.一种光电感测器的制造方法，其包括：

(1)提供具有多个感测区和多个焊盘的半导体衬底，并将盖玻璃通过间隔件黏合到所述半导体衬底的上表面；

(2)在所述半导体衬底的下表面形成多个盲孔，所述多个盲孔与所述多个焊盘一一对应，且所述多个盲孔与所述多个焊盘之间留有间隔区；

(3)在所述下表面沉积形成绝缘层并进行图案化，所述绝缘层仅覆盖所述下表面和所述多个盲孔的侧壁；

(4)以所述绝缘层为掩膜，对间隔区进行原位离子掺杂以在所述多个盲孔与所述多个焊盘之间形成掺杂接触区；接着，在形成掺杂接触区之后用腐蚀液对所述掺杂接触区进行表面修复；

(5)在所述绝缘层上形成布线层，所述布线层电连接至所述掺杂接触区且延伸至所述下表面；

(6)在所述下表面形成树脂密封层，所述树脂密封层填充所述多个盲孔且覆盖所述下表面，所述树脂密封层在所述下表面具有开口，多个凸块形成于所述开口中；

其中，在步骤(5)与步骤(6)之间，还包括形成应力缓冲材料，所述应力缓冲材料形成于所述多个盲孔的底部且位于所述布线层之下。

6.根据权利要求5所述的光电感测器的制造方法，其特征在于：所述布线层的材质为金属，在步骤(5)中，还包括退火工艺，以在所述布线层与所述掺杂接触区之间形成金属硅化物层。

7.根据权利要求5所述的光电感测器的制造方法，其特征在于：所述应力缓冲材料为拉应力的氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求5所述的光电感测器的制造方法，其特征在于：所述掺杂接触区的掺杂元素为磷或砷。