[发明专利]磁头的评价方法以及磁头的评价装置有效
申请号: | 202010160041.2 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN112151075B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 首藤浩文;成田直幸;永泽鹤美;高岸雅幸;前田知幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 评价 方法 以及 装置 | ||
1.一种磁头的评价方法,
实施从外部向包括电流路径的磁头施加了交流磁场时的所述电流路径的电特性的测定,所述电流路径包括振荡器,
基于所述电特性,实施关于所述振荡器的振荡频率的频率值的导出。
2.根据权利要求1所述的磁头的评价方法,
所述电特性的所述测定包括:对所述交流磁场的频率进行变更来测定所述电特性。
3.根据权利要求1所述的磁头的评价方法,
所述电特性的所述测定包括:导出第1值、第2值以及第3值,
所述第1值是向所述磁头施加了第1频率的第1交流磁场时的所述电特性的值,
所述第2值是向所述磁头施加了比所述第1频率高的第2频率的第2交流磁场时的所述电特性的值,
所述第3值是向所述磁头施加了所述第1频率与所述第2频率之间的第3频率的第3交流磁场时的所述电特性的值,
所述第3值处于所述第1值与所述第2值之间。
4.根据权利要求3所述的磁头的评价方法,
与关于所述振荡频率的所述频率值对应的所述电特性的值处于所述第1值与所述第2值之间。
5.根据权利要求1所述的磁头的评价方法,
所述电特性的所述测定包括第1测定以及第2测定,
在所述第1测定中,向所述磁头施加所述交流磁场来测定所述磁头的所述电特性,
在所述第2测定中,不向所述磁头施加所述交流磁场、或者使所述交流磁场的强度比所述第1测定中的所述交流磁场的强度低来测定所述磁头的所述电特性。
6.根据权利要求5所述的磁头的评价方法,
所述电特性的所述测定包括:实施多个测定处理,
所述多个测定处理中的一个测定处理包括所述第1测定以及所述第2测定。
7.根据权利要求6所述的磁头的评价方法,
所述多个测定处理被周期性地进行。
8.一种磁头的评价装置,具备:
第1导电体;
保持部,其保持包括电流路径的磁头,能够对所述磁头相对于所述第1导电体的位置进行控制,所述电流路径包括振荡器;
电流供给电路,其能够向所述第1导电体供给交流电流,使得从外部向所述磁头施加与在所述第1导电体中流动的所述交流电流相应地产生的交流磁场;以及
测定电路,其能够测定所述电流路径的电特性。
9.根据权利要求8所述的磁头的评价装置,
还具备处理器,
所述处理器能够基于所述电特性而导出关于所述振荡器的振荡频率的频率值。
10.根据权利要求9所述的磁头的评价装置,
所述电特性的所述测定包括:导出第1值、第2值以及第3值,
所述第1值是向所述磁头施加了第1频率的第1交流磁场时的所述电特性的值,
所述第2值是向所述磁头施加了比所述第1频率高的第2频率的第2交流磁场时的所述电特性的值,
所述第3值是向所述磁头施加了所述第1频率与所述第2频率之间的第3频率的第3交流磁场时的所述电特性的值,
所述第3值处于所述第1值与所述第2值之间。
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