[发明专利]一种CMOS双稳态振荡器及其实现方法

权利要求书

1.一种CMOS双稳态振荡器，其特征在于：

所述CMOS双稳态振荡器，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM10，N沟道增强型MOS管NM1-NM16，电容C1-C3，电流源IDC1，反相器INV1-INV4，或非门NOR1-NOR4以及VCC输入端口、EN_OSC输入端口、VR电压输入端口、HOLD控制输入端口和CLK逻辑输出端口；

所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VCC输入端口以及P沟道增强型MOS管PM2-PM10的源极，栅极连接EN_OSC输入端口、N沟道增强型MOS管NM1的栅极、P沟道增强型MOS管PM3和PM7的栅极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM8、NM13和NM16的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM1源极接地，栅极连接EN_OSC输入端口、P沟道增强型MOS管PM1、PM3和PM7的源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM8、NM13和NM16的栅极；P沟道增强型MOS管PM1和N沟道增强型MOS管NM1构成反相器电路，将EN_OSC输入端口的电压反相处理后传输到开关管的栅极，进行开关管的通断控制；

所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VCC输入端口，栅极漏极连接电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM3的漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM6、PM8-PM10的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接VCC输入端口，栅极连接电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM2的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM3的漏极、P沟道增强型MOS管PM5-PM6、PM8-PM10的栅极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM2的漏极、N沟道增强型MOS管NM3的漏极、电容C2的上极板和P沟道增强型MOS管PM12的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM5源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11-PM12的源极，栅极连接电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM2的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM3的漏极、P沟道增强型MOS管PM4、PM6、PM8-PM10的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM6源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM7的漏极，N沟道增强型MOS管NM9的漏极和反相器INV1的输入端口，栅极连接电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM2的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM3的漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM5、PM8-PM10的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM8源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM14的栅极、N沟道增强型MOS管NM10的漏极和电容C3的上极板，栅极连接电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM2的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM3的漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM6、PM9-PM10的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM9源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM13-PM14的源极，栅极连接电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM2的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM3的漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM6、PM8、PM10的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM10源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM15、NM16的漏极和反相器INV2的输入端口，栅极连接电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM2的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM3的漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM5、PM8-PM9的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM2、PM4-PM6和PM8-PM10共同构成电流镜电路，起到为各自所在支路提供镜像电流的作用；

所述P沟道增强型MOS管PM11源极连接P沟道增强型MOS管PM5的漏极和P沟道增强型MOS管PM12的源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM5的栅极漏极、N沟道增强型MOS管NM6的漏极和N沟道增强型MOS管NM7的栅极，栅极连接VR电压输入端口和P沟道增强型MOS管PM13的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM12源极连接P沟道增强型MOS管PM5的漏极和P沟道增强型MOS管PM11的源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM7-NM9的漏极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4的漏极、N沟道增强型MOS管NM2的漏极、N沟道增强型MOS管NM3的漏极和电容C2的上极板；所述N沟道增强型MOS管NM5栅极漏极连接P沟道增强型MOS管PM11的漏极、N沟道增强型MOS管NM6的漏极和N沟道增强型MOS管NM7的栅极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM7漏极连接P沟道增强型MOS管PM12的漏极、N沟道增强型MOS管NM8的漏极和N沟道增强型MOS管NM9的栅极，栅极连接N沟道增强型MOS管NM5的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM11的漏极和N沟道增强型MOS管NM6的漏极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM9漏极连接P沟道增强型MOS管PM6的漏极、P沟道增强型MOS管PM7的漏极和反相器INV1的输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM12的漏极、N沟道增强型MOS管NM7和NM8的漏极，源极接地；所述P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM5、NM7、NM9共同构成了比较器电路，主要将P沟道增强型MOS管PM11的栅极电压VR电压和P沟道增强型MOS管PM12的栅极电压进行比较，然后将输出结果传递到反相器INV1的输入端；

所述P沟道增强型MOS管PM13源极连接P沟道增强型MOS管PM9的漏极和P沟道增强型MOS管PM14的源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM12的栅极漏极、N沟道增强型MOS管NM13的漏极和N沟道增强型MOS管NM14的栅极，栅极连接VR电压输入端口和P沟道增强型MOS管PM11的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM14源极连接P沟道增强型MOS管PM9的漏极和P沟道增强型MOS管PM13的源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM14的漏极和N沟道增强型MOS管NM15的栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM8的漏极、N沟道增强型MOS管NM10的漏极和电容C3的上极板；所述N沟道增强型MOS管NM12栅极漏极连接P沟道增强型MOS管PM13的漏极、N沟道增强型MOS管NM13的漏极和N沟道增强型MOS管NM14的栅极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM14漏极连接P沟道增强型MOS管PM14的漏极和N沟道增强型MOS管NM15的栅极，栅极连接N沟道增强型MOS管NM12的栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM13的漏极和N沟道增强型MOS管NM13的漏极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM15漏极连接P沟道增强型MOS管PM10的漏极、N沟道增强型MOS管NM16的漏极和反相器INV2的输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM14的漏极、N沟道增强型MOS管NM14的漏极，源极接地；所述P沟道增强型MOS管PM13、PM14和N沟道增强型MOS管NM12、NM14、NM15共同构成了比较器电路，主要将P沟道增强型MOS管PM13的栅极电压VR电压和P沟道增强型MOS管PM14的栅极电压进行比较，然后将输出结果传递到反相器INV2的输入端；

所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM2的栅极漏极、电流源的一端、P沟道增强型MOS管PM4-PM6、PM8-PM10的栅极，栅极连接EN_OSC输入端口、N沟道增强型MOS管NM1的栅极、P沟道增强型MOS管PM1的栅极和P沟道增强型MOS管PM7的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM7源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6的漏极、N沟道增强型MOS管NM9的漏极和反相器INV1的输入端，栅极连接EN_OSC输入端口、N沟道增强型MOS管NM1的栅极、P沟道增强型MOS管PM1的栅极和P沟道增强型MOS管PM7的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM2源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4的漏极、N沟道增强型MOS管NM3的漏极、电容C2的上极板和P沟道增强型MOS管PM12的栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM1的漏极和N沟道增强型MOS管NM6、NM8、NM13、NM16的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11的漏极、N沟道增强型MOS管NM5的栅极漏极和N沟道增强型MOS管NM7的栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM1的漏极和N沟道增强型MOS管NM2、NM8、NM13、NM16的栅极；

所述N沟道增强型MOS管NM8源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12的漏极、N沟道增强型MOS管NM7的漏极和N沟道增强型MOS管NM9的栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM1的漏极和N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM13、NM16的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM13源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM13的漏极、N沟道增强型MOS管NM12的栅极漏极和N沟道增强型MOS管NM14的栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM1的漏极和N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM8、NM16的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM16源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM10的漏极、N沟道增强型MOS管NM15的漏极和反相器INV2的输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM1的漏极和N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM8、NM13的栅极；所述P沟道增强型MOS管PM3、PM7和N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM8、NM13、NM16在电路中都是起到开关管的作用；

所述N沟道增强型MOS管NM3的漏极连接P沟道增强型MOS管PM4的漏极、N沟道增强型MOS管NM2的漏极、电容C2上极板和P沟道增强型MOS管PM12的栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM4的漏极，栅极连接N沟道增强型MOS管NM4的栅极和CLK输出端；所述N沟道增强型MOS管NM4的漏极连接N沟道增强型MOS管NM3的源极，栅极连接N沟道增强型MOS管NM3的栅极和CLK输出端，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM10的漏极连接P沟道增强型MOS管PM8的漏极、电容C3上极板和P沟道增强型MOS管PM14的栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM11的漏极，栅极连接N沟道增强型MOS管NM11的栅极和反相器INV4的输出端；所述N沟道增强型MOS管NM11的漏极连接N沟道增强型MOS管NM10的源极，栅极连接N沟道增强型MOS管NM10的栅极和反相器INV4的输出端，源极接地；所述电容C1上极板连接VR输入端口、P沟道增强型MOS管PM11和PM13的栅极，下极板接地；所述电容C2上极板连接P沟道增强型MOS管PM4的漏极、N沟道增强型MOS管NM3的漏极、N沟道增强型MOS管NM2的漏极和P沟道增强型MOS管PM12的栅极，下极板接地；所述电容C3上极板连接P沟道增强型MOS管PM8的漏极、N沟道增强型MOS管NM10的漏极和P沟道增强型MOS管PM14的栅极，下极板接地；其中电容C1主要作用为VR输入端口提供稳压作用，电容C2和C3在各自支路作为充放电电容给对应的P沟道增强型MOS管PM12和P沟道增强型MOS管PM14的栅极提供电压使用；

所述反相器INV1输入端连接P沟道增强型MOS管PM6、PM7的漏极、N沟道增强型MOS管NM9的漏极，输出端连接或非门NOR1的一输入端；所述反相器INV2输入端连接P沟道增强型MOS管PM10漏极、N沟道增强型MOS管NM15和NM16的漏极，输出端连接或非门NOR2的一输入端；所述或非门NOR1一输入端连接反相器INV1的输出端，另一输入端连接或非门NOR2的输出端和或非门NOR4的输入端，输出端连接或非门NOR2的一输入端和或非门NOR3的另一输入端；所述或非门NOR2一输入端连接反相器INV2的输出端，另一输入端连接或非门NOR1的输出端和或非门NOR3的输入端，输出端连接或非门NOR4的一输入端和或非门NOR1的另一输入端；所述或非门NOR3一输入端连接HOLD输入端口，另一输入端口连接或非门NOR1的输出端和或非门NOR2的一输入端，输出端连接反相器INV3的输入端；所述或非门NOR4一输入端连接或非门NOR2的输出端和或非门NOR1的另一输入端，输出端连接反相器INV4的输入端；所述反相器INV3输入端连接或非门NOR3的输出端，输出端连接CLK输出端口和N沟道增强型MOS管NM3、NM4的栅极；所述反相器INV4输入端连接或非门NOR4的输出端，输出端连接N沟道增强型MOS管NM10、NM11的栅极；反相器INV1-INV4，或非门NOR1-NOR4共同构成振荡器电路逻辑信号处理电路，将运放电路产生的模拟信号转化成数字信号。

2.一种利用权利要求1所述CMOS双稳态振荡器的实现方法，其特征在于包括下述步骤：

当VCC输入端电源供电，EN_OSC输入端提供高电平时，电流源IDC1提供电流，VR输入端提供稳定的供电电压VR时，P沟道增强型MOS管PM4支路镜像P沟道增强型MOS管PM2支路构成的恒定电流源为电容C2进行充电，当电容C2的上极板电压高于VR电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM5、NM7、NM9构成的比较器电路的输出端将高电平传递到反相器INV1的输入端；同理P沟道增强型MOS管PM8支路镜像P沟道增强型MOS管PM2支路构成的恒定电流源为电容C3进行充电，当电容C3的上极板电压高于VR电压时，通过P沟道增强型MOS管PM13、PM14和N沟道增强型MOS管NM12、NM14、NM15构成的比较器电路的输出端将高电平传递到反相器INV2的输入端；通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器将反相器INV1和INV2传递的模拟信号进行边沿出发后输出高低电平的逻辑信号，然后将或非门NOR1的输出端信号通过或非门NOR3与HOLD输入信号进行或非处理后，经过反相器INV3控制N沟道增强型MOS管NM3和NM4的通断，从而将C2的上极板电压在大于VR电压时，将MOS管NM3和NM4开启，把电容C2的上极板拉倒地，此时电容C2开始放电，当电容C2的上极板电压低于VR电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM5、NM7、NM9构成的比较器电路的输出端将低电平传递到反相器INV1的输入端；同理或非门NOR2的输出端信号通过或非门NOR4与地进行或非处理后，经过反相器INV4控制N沟道增强型MOS管NM10和NM11的通断，从而将C3的上极板电压在大于VR电压时，将MOS管NM10和NM11开启，把电容C3的上极板拉倒地，此时电容C3开始放电，当电容C3的上极板电压低于VR电压时，通过P沟道增强型MOS管PM13、PM14和N沟道增强型MOS管NM12、NM14、NM15构成的比较器电路的输出端将低电平传递到反相器INV2的输入端；所以在不断地进行电容C2和C3的充电放电，通过锁存器将两个比较器的输出信号进行处理后，就得出CLK振荡开关波形信号。