[发明专利]一种CMOS双稳态振荡器及其实现方法

说明书

本发明提供了一种CMOS双稳态振荡器及其实现方法，整体电路采用CMOS工艺，电路通过比较器电路和逻辑信号处理电路设计，可以产生稳定的开关频率信号，并且可以根据实际需求进行频率的设定。本发明的振荡器采用CMOS工艺，电路设计简单，开关频率误差小，振荡器开关频率灵活可调，可以通过改变电流源IDC1和电压VR的大小，调整开关波形的占空比，从而进行开关频率的改变。

技术领域

本发明涉及电路技术领域，尤其是涉及一种振荡器电路。

背景技术

目前随着模拟电路的不断发展，芯片的应用越来越广泛，在很多地方都要应用到振荡器。在传统的技术中，RC振荡器的频率稳定性比较差，使用的范围比较有限。目前考虑到芯片集成度的不断提升，芯片成品的降低，就需要设计专门的RC振荡器来产生可以供芯片电路内部使用的振荡器电路，目前大多数的芯片内部振荡器电路设计复杂，振荡频率不稳定，不利于电路的整体优化，还提高了设计的成本，对于芯片的性能方面也产生了很大的影响。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种CMOS双稳态振荡器及其实现方法。本发明的目的在于提供一种简单实用CMOS双稳态振荡器，整体电路采用CMOS工艺，电路通过比较器电路和逻辑信号处理电路设计，可以产生稳定的开关频率信号，并且可以根据实际需求进行频率的设定。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种CMOS双稳态振荡器，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM10，N沟道增强型MOS管NM1-NM16，电容C1-C3，电流源IDC1，反相器INV1-INV4，或非门NOR1-NOR4以及VCC输入端口、EN_OSC输入端口、VR电压输入端口、HOLD控制输入端口和CLK逻辑输出端口；

所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VCC输入端口以及P沟道增强型MOS管PM2-PM10的源极，栅极连接EN_OSC输入端口、N沟道增强型MOS管NM1的栅极、P沟道增强型MOS管PM3和PM7的栅极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM8、NM13和NM16的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM1源极接地，栅极连接EN_OSC输入端口、P沟道增强型MOS管PM1、PM3和PM7的源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1的漏极、N沟道增强型MOS管NM2、NM6、NM8、NM13和NM16的栅极。P沟道增强型MOS管PM1和N沟道增强型MOS管NM1构成反相器电路，将EN_OSC输入端口的电压反相处理后传输到开关管的栅极，进行开关管的通断控制；