[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车在审
申请号: | 202010160592.9 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN112614899A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 权镐楠;藤原郁夫;佐佐木启太;铃木和拓 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L23/64;H01L23/62;H01L25/16;H01L31/107;G01S17/08;G01S17/894;G01S7/486;G01S7/4912 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测器 检测 系统 激光雷达 装置 | ||
1.一种光检测器,具备:
元件,其包括光电二极管;及
淬灭电阻,其与所述元件电连接,并且包括半导体构件和多个第1金属构件,所述多个第1金属构件互相分离且与所述半导体构件电连接。
2.根据权利要求1所述的光检测器,
还具备在第1方向上包围所述元件的外周区域,
所述淬灭电阻的至少一部分在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述外周区域排列。
3.根据权利要求2所述的光检测器,
所述外周区域包括:
第1导电型的半导体区域,其在所述第1方向上包围所述元件;及
绝缘部,其在所述第2方向上设置于所述半导体区域与所述淬灭电阻之间。
4.根据权利要求2所述的光检测器,
所述元件包括第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域及在所述第2方向上设置于所述第1半导体区域与所述第2半导体区域之间的第1导电型的第3半导体区域,
所述外周区域包括绝缘部,该绝缘部在所述第1方向上包围所述第1半导体区域、所述第2半导体区域及所述第3半导体区域。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的光检测器,
所述半导体构件在所述第2方向上与所述多个第1金属构件排列。
6.根据权利要求5所述的光检测器,
所述多个第1金属构件各自包括:
第1布线部,其在所述第2方向上与所述半导体构件分离;及
第1连接部及第2连接部,其互相分离地设置于所述半导体构件与所述第1布线部之间,并且将所述半导体构件与所述第1布线部电连接。
7.根据权利要求6所述的光检测器,
所述淬灭电阻还包括与所述半导体构件电连接的多个第2金属构件,
所述多个第2金属构件互相分离,
所述多个第2金属构件各自包括:
第2布线部,其在所述第2方向上与所述半导体构件分离;及
第3连接部及第4连接部,其互相分离地设置于所述半导体构件与所述第2布线部之间,并且将所述半导体构件与所述第2布线部电连接,
所述第2布线部在与所述第1布线部不同的方向上延伸。
8.根据权利要求7所述的光检测器,
所述半导体构件的一部分在所述第1方向上延伸,
关于与所述半导体构件的所述一部分电连接的所述第1金属构件及所述第2金属构件,所述第1金属构件的所述第1布线部的至少一部分在与包含所述第1方向及所述第2方向的面交叉的第3方向上与所述第2金属构件的所述第2布线部排列。
9.根据权利要求5所述的光检测器,
还具备在所述第2方向上与所述半导体构件排列的绝缘层,
所述多个第1金属构件各自在所述第1方向上被所述绝缘层包围。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的光检测器,
还具备与所述淬灭电阻电连接的布线,
在所述元件与所述布线之间,所述多个第1金属构件各自与所述半导体构件并联连接。
11.根据权利要求1~4中任一项所述的光检测器,
所述淬灭电阻包括多个所述半导体构件,
所述多个半导体构件和所述多个第1金属构件串联连接。
12.根据权利要求11所述的光检测器,
所述多个半导体构件和所述多个第1金属构件交替地串联连接。
13.一种光检测器,具备:
元件,其包括光电二极管;及
淬灭电阻,其与所述元件电连接,并且包括第1金属构件和多个半导体构件,所述多个半导体构件互相分离且与所述第1金属构件电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的