[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车在审

专利信息
申请号: 202010160592.9 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN112614899A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 权镐楠;藤原郁夫;佐佐木启太;铃木和拓 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L23/64;H01L23/62;H01L25/16;H01L31/107;G01S17/08;G01S17/894;G01S7/486;G01S7/4912
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张轶楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检测器 检测 系统 激光雷达 装置
【权利要求书】:

1.一种光检测器,具备:

元件,其包括光电二极管;及

淬灭电阻,其与所述元件电连接,并且包括半导体构件和多个第1金属构件,所述多个第1金属构件互相分离且与所述半导体构件电连接。

2.根据权利要求1所述的光检测器,

还具备在第1方向上包围所述元件的外周区域,

所述淬灭电阻的至少一部分在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述外周区域排列。

3.根据权利要求2所述的光检测器,

所述外周区域包括:

第1导电型的半导体区域,其在所述第1方向上包围所述元件;及

绝缘部,其在所述第2方向上设置于所述半导体区域与所述淬灭电阻之间。

4.根据权利要求2所述的光检测器,

所述元件包括第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域及在所述第2方向上设置于所述第1半导体区域与所述第2半导体区域之间的第1导电型的第3半导体区域,

所述外周区域包括绝缘部,该绝缘部在所述第1方向上包围所述第1半导体区域、所述第2半导体区域及所述第3半导体区域。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的光检测器,

所述半导体构件在所述第2方向上与所述多个第1金属构件排列。

6.根据权利要求5所述的光检测器,

所述多个第1金属构件各自包括:

第1布线部,其在所述第2方向上与所述半导体构件分离;及

第1连接部及第2连接部,其互相分离地设置于所述半导体构件与所述第1布线部之间,并且将所述半导体构件与所述第1布线部电连接。

7.根据权利要求6所述的光检测器,

所述淬灭电阻还包括与所述半导体构件电连接的多个第2金属构件,

所述多个第2金属构件互相分离,

所述多个第2金属构件各自包括:

第2布线部,其在所述第2方向上与所述半导体构件分离;及

第3连接部及第4连接部,其互相分离地设置于所述半导体构件与所述第2布线部之间,并且将所述半导体构件与所述第2布线部电连接,

所述第2布线部在与所述第1布线部不同的方向上延伸。

8.根据权利要求7所述的光检测器,

所述半导体构件的一部分在所述第1方向上延伸,

关于与所述半导体构件的所述一部分电连接的所述第1金属构件及所述第2金属构件,所述第1金属构件的所述第1布线部的至少一部分在与包含所述第1方向及所述第2方向的面交叉的第3方向上与所述第2金属构件的所述第2布线部排列。

9.根据权利要求5所述的光检测器,

还具备在所述第2方向上与所述半导体构件排列的绝缘层,

所述多个第1金属构件各自在所述第1方向上被所述绝缘层包围。

10.根据权利要求1~9中任一项所述的光检测器,

还具备与所述淬灭电阻电连接的布线,

在所述元件与所述布线之间,所述多个第1金属构件各自与所述半导体构件并联连接。

11.根据权利要求1~4中任一项所述的光检测器,

所述淬灭电阻包括多个所述半导体构件,

所述多个半导体构件和所述多个第1金属构件串联连接。

12.根据权利要求11所述的光检测器,

所述多个半导体构件和所述多个第1金属构件交替地串联连接。

13.一种光检测器,具备:

元件,其包括光电二极管;及

淬灭电阻,其与所述元件电连接,并且包括第1金属构件和多个半导体构件,所述多个半导体构件互相分离且与所述第1金属构件电连接。

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