[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车在审
申请号: | 202010160592.9 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN112614899A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 权镐楠;藤原郁夫;佐佐木启太;铃木和拓 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L23/64;H01L23/62;H01L25/16;H01L31/107;G01S17/08;G01S17/894;G01S7/486;G01S7/4912 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测器 检测 系统 激光雷达 装置 | ||
提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式,光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接,并且包括元件、半导体构件及互相分离地设置且与所述半导体构件电连接的多个第1金属构件。根据上述构成的光检测器,能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。
本申请以日本专利申请2019-168949(申请日2019年9月18日)为基础,根据该申请而享有优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式一般来说涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。
背景技术
存在包括淬灭电阻(quenching resistance)的光检测器。希望淬灭电阻中的电阻温度依赖性小。
发明内容
本发明的实施方式提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。
根据本发明的实施方式,光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接,并且包括元件、半导体构件及多个第1金属构件,所述多个第1金属构件互相分离地设置且与所述半导体构件电连接。
根据上述构成的光检测器,能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。
附图说明
图1是例示第1实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图2是图1的II-II剖视图。
图3是图1的III-III剖视图。
图4是例示第1实施方式的变形例的光检测器的示意性俯视图。
图5是例示第2实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图6是图5的V-V剖视图。
图7是例示第3实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图8是将图7的部分VIII放大的俯视图。
图9是例示第4实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图10是图9的X-X剖视图。
图11是例示第5实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图12是将图11的部分XII放大的俯视图。
图13是例示第6实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图14是图13的XIV-XIV剖视图。
图15是图14的XV-XV剖视图。
图16是例示第7实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图17是图16的XVII-XVII剖视图。
图18是图16的XVIII-XVIII剖视图。
图19是例示第8实施方式的激光雷达装置的示意图。
图20是用于说明激光雷达装置的检测对象的检测的图。
图21是具备第8实施方式的激光雷达装置的车的俯视概略图。
标号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的