[发明专利]带差参考电路

权利要求书

1.一种带差参考电路，包括：

一镜射电路，产生一第一电流、一第二电流与一第三电流，其中该第一电流流向一第一节点，该第二电流流向一第二节点，且该第三电流流向该带差参考电路的一电压输出端；

一输入电路，连接至该第一节点用以接收该第一电流，以及连接至该第二节点用以接收该第二电流；以及

一运算放大器，具有一正输入端连接至该第一节点，一负输入端连接至该第二节点，一输出端连接至该镜射电路；

其中，该运算放大器，包括：

一第一P型金氧半晶体管，其中该第一P型金氧半晶体管的一源极接收一供应电压，该第一P型金氧半晶体管的一栅极接收一第一偏压电压；

一第二P型金氧半晶体管，其中该第二P型金氧半晶体管的一源极连接至该第一P型金氧半晶体管的一漏极，该第二P型金氧半晶体管的一栅极接收一第二偏压电压；

一第一N型金氧半晶体管，其中该第一N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第二P型金氧半晶体管的一漏极，该第一N型金氧半晶体管的一栅极接收一第三偏压电压，且该第一N型金氧半晶体管的一源极连接至该第一N型金氧半晶体管的一体极；

一第二N型金氧半晶体管，其中该第二N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第一N型金氧半晶体管的该源极，该第二N型金氧半晶体管的一栅极连接至该第二P型金氧半晶体管的该漏极，该第二N型金氧半晶体管的一源极连接至一接地端；

一第三P型金氧半晶体管，其中该第三P型金氧半晶体管的一源极接收该供应电压，该第三P型金氧半晶体管的一栅极接收该第一偏压电压；

一第四P型金氧半晶体管，其中该第四P型金氧半晶体管的一源极连接至该第三P型金氧半晶体管的一漏极，该第四P型金氧半晶体管的一栅极接收该第二偏压电压，该第四P型金氧半晶体管的一漏极为该运算放大器的该输出端；

一第三N型金氧半晶体管，其中该第三N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第四P型金氧半晶体管的该漏极，该第三N型金氧半晶体管的一栅极接收该第三偏压电压，且该第三N型金氧半晶体管的一源极连接至该第三N型金氧半晶体管的一体极；

一第四N型金氧半晶体管，其中该第四N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第三N型金氧半晶体管的该源极，该第四N型金氧半晶体管的一栅极连接至该第二N型金氧半晶体管的该栅极，该第四N型金氧半晶体管的一源极连接至该接地端；

一第五N型金氧半晶体管，其中该第五N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第一P型金氧半晶体管的该漏极，该第五N型金氧半晶体管的一栅极为该运算放大器的该正输入端；

一第六N型金氧半晶体管，其中该第六N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第三P型金氧半晶体管的该漏极，该第六N型金氧半晶体管的一栅极为该运算放大器的该负输入端；以及

一参考电流源，其中该参考电流源的一第一端连接至该第五N型金氧半晶体管的一源极以及该第六N型金氧半晶体管的一源极，该参考电流源的一第二端连接至该接地端。

2.如权利要求1所述的带差参考电路，其中该镜射电路包括：

一第五P型金氧半晶体管，其中该第五P型金氧半晶体管的一源极接收该供应电压，该第五P型金氧半晶体管的一栅极连接至该运算放大器的该输出端；

一第六P型金氧半晶体管，其中该第六P型金氧半晶体管的一源极接收该供应电压，该第六P型金氧半晶体管的一栅极连接至该运算放大器的该输出端；

一第七P型金氧半晶体管，其中该第七P型金氧半晶体管的一源极接收该供应电压，该第七P型金氧半晶体管的一栅极连接至该运算放大器的该输出端；

一第八P型金氧半晶体管，其中该第八P型金氧半晶体管的一源极连接至该第五P型金氧半晶体管的一漏极，该第八P型金氧半晶体管的一栅极接收一第四偏压电压，该第八P型金氧半晶体管的一漏极连接至该第一节点；

一第九P型金氧半晶体管，其中该第九P型金氧半晶体管的一源极连接至该第六P型金氧半晶体管的一漏极，该第九P型金氧半晶体管的一栅极接收该第四偏压电压，该第九P型金氧半晶体管的一漏极连接至该第二节点；以及

一第十P型金氧半晶体管，其中该第十P型金氧半晶体管的一源极连接至该第七P型金氧半晶体管的一漏极，该第十P型金氧半晶体管的一栅极接收该第四偏压电压，该第十P型金氧半晶体管的一漏极连接至该带差参考电路的该电压输出端。