[发明专利]一种检测半导体制作工艺缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测半导体制作工艺缺陷的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成光刻胶；

在所述光刻胶中形成荧光剂；

利用所述荧光剂检测显影后的所述光刻胶的缺陷；

其中，在所述光刻胶中形成荧光剂包括：

在所述光刻胶进行曝光之前，利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中，所述荧光剂的结构包括-C＝C-C＝C-C＝C-或-N＝C-C＝N-C＝C-中的任一中或其组合，所述荧光剂的类型为二苯乙烯型、香豆素型、吡唑啉型、苯并恶唑型和二甲酰亚胺型中的任一中或其任意组合，所述荧光剂在所述光刻胶中的浓度大于0％且小于1％，所述形成有荧光剂的光刻胶的PH值大于0且小于6，所述荧光剂的注入能量小于10KeV；利用所述荧光剂检测显影后的所述光刻胶的缺陷包括：

采用检测光源照射刻蚀区和保留区，采用光学检测仪获取所述刻蚀区和所述保留区的荧光光强，根据所述荧光光强或荧光光强分布确定显影后的所述光刻胶是否存在缺陷，所述缺陷包括光刻胶残留缺陷和光刻胶变质缺陷中的任一种或其组合；

其中，所述利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中的步骤中，还包括：烘烤所述光刻胶至玻璃转化温度或高于所述玻璃转化温度后，在所述光刻胶发生铰链反应之前利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中。

2.根据权利要求1所述的检测半导体制作工艺缺陷的方法，其特征在于，所述荧光剂出射的荧光波长范围为420nm-450nm。

3.根据权利要求1所述的检测半导体制作工艺缺陷的方法，其特征在于，所述利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中的步骤中，还包括：

对所述光刻胶进行曝光和显影；

对显影后的所述光刻胶进行所述荧光剂的注入。

4.根据权利要求1所述的检测半导体制作工艺缺陷的方法，其特征在于，所述烘烤温度范围为50℃至500℃；所述烘烤时间范围为50S至500S。