[发明专利]一种检测半导体制作工艺缺陷的方法

说明书

本发明实施例公开了一种检测半导体制作工艺缺陷的方法。该方法包括在在基板上形成光刻胶；在光刻胶中形成荧光剂；利用荧光剂检测显影后的光刻胶的缺陷。本发明实施例提供的技术方案可以降低对显影后的光刻胶进行缺陷检测的难度，提高缺陷检测准确度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测半导体制作工艺缺陷的方法。

背景技术

半导体器件的制作工艺往往包含多个步骤，任何工艺步骤的微小错误均有可能导致半导体器件的失效，因此，在制备过程中应当确保每个工艺步骤达到工艺要求。

半导体器件的主要工艺步骤包括光刻、刻蚀、离子注入等，其中，光刻包括涂布光刻胶、曝光、显影等步骤。在实际工艺过程中，由于工艺等原因可能会出现显影之后的光刻胶存在缺陷情况。示例性的，如图1所示，基板110’的一侧表面涂布有整层的光刻胶120’，通过曝光以及显影可图案化光刻胶120’，即保留区R’的光刻胶120’被保留，同时刻蚀区E’的光刻胶120’被去除。由于光照不足、光刻胶变质等原因，可能会出现刻蚀区E’存在光刻胶残留130’的现象。现有技术中，通常采用光学检测仪器获取刻蚀区E’反射光光强，并根据反射光光强判断刻蚀区E’是否残留有光刻胶残留130’。但是，当光刻胶残留130’体积较小时，可能无法检测到该光刻胶残留130’，如此，会导致后续步骤出现错误，进而最终导致半导体器件的失效。

发明内容

本发明提供一种检测半导体制作工艺缺陷的方法，以降低对显影后的光刻胶进行缺陷检测的难度，提高缺陷检测准确度。

第一方面，本发明实施例提供了一种检测半导体制作工艺缺陷的方法，包括：

在基板上形成光刻胶；

在所述光刻胶中形成荧光剂；

利用所述荧光剂检测显影后的所述光刻胶的缺陷。

可选地，所述荧光剂的结构包括-C＝C-C＝C-C＝C-或-N＝C-C＝N-C＝C-中的任一中或其组合。

可选地，所述荧光剂的类型为二苯乙烯型、香豆素型、吡唑啉型、苯并恶唑型和二甲酰亚胺型中的任一中或其任意组合。

可选地，所述荧光剂在所述光刻胶中的浓度大于0％且小于1％。

可选地，所述形成有荧光剂的光刻胶的PH值大于0且小于6。

可选地，所述荧光剂出射的荧光波长范围为420nm-450nm。

可选地，所述在所述光刻胶中形成荧光剂的步骤中，包括：

利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中。

可选地，所述利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中的步骤中，还包括：

对所述光刻胶进行曝光和显影；

对显影后的所述光刻胶进行所述荧光剂的注入。

可选地，所述利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中的步骤中，还包括：

烘烤所述光刻胶至玻璃转化温度或高于所述玻璃转化温度后利用离子注入方式将所述荧光剂注入至所述光刻胶中。

可选地，所述烘烤温度范围为50℃至500℃；所述烘烤时间范围为50S至500S。

可选地，还包括：

在所述光刻胶进行曝光之前或者显影之后进行所述荧光剂注入。

可选地，还包括：

在所述光刻胶发生铰链反应之前进行所述荧光剂注入。

可选地，所述荧光剂的注入能量小于10KeV。