[发明专利]一种低噪音微弧氧化装置有效
申请号: | 202010162988.7 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN111647923B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 王文波;田林海;韩建超;秦林;贾文婷;贺龙宾;李景阳;张伟樯;常勇强;聂勇 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C25D11/02 | 分类号: | C25D11/02;C25D17/00 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 耿路 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 噪音 氧化 装置 | ||
本发明涉及一种低噪音微弧氧化装置,包括外箱体、电解槽、微弧氧化电源、微弧氧化阳极、微弧氧化阴极,内箱体,内箱体和外箱体之间设有为真空层,电解槽通过设在内箱体上部的密封隔断板固定连接在内箱体中,内箱体的底部设有冷凝水槽,电解槽的底部位于该冷凝水槽中;外箱体和内箱体形成的噪音屏蔽箱体的侧边设有环形消音装置;外箱体和内箱体形成的噪音屏蔽箱体的顶部设有消音密封装置;降噪效果好,通过对噪音的强度进行对应的减弱来实现降噪的目的,结构简单,不使用吸音材料,避免在使用的过程中更换吸音材料,节省了整个装置的制造成本和使用成本。
技术领域
本发明涉及金属表面加工技术领域,具体涉及一种低噪音微弧氧化装置。
背景技术
微弧氧化又称为等离子体氧化,是一种在A1、Mg、Ti等有色金属及其合金表面原位生长氧化物陶瓷的新技术。它是在传统阳极氧化的基础上发展而来,但又突破了阳极氧化对电压的限制,所施加的电压较高。该技术是将Al、Mg、Ti等金属放入导电溶液中,通电后在金属表面立即生成一层较薄的氧化物绝缘薄膜,随着电压的升高,电解液与金属界面处的电势急剧增加,致使已形成的氧化物绝缘薄膜层薄弱处被击穿,发生微弧放电现象。该技术通过微弧放电区域高温高压的产生,最终在基体金属表面原位生长一层连续、均匀、结异,如硬度高、耐磨、防腐、耐热冲击、耐电击穿以及具有生物活性等,具有很大的应用价值,因此在许多领域具有广泛的应用前景。
微弧氧化技术虽具有,上述众多优点,但它有其本身的劣势,其技术劣势之一-就是在工作过程中存在高电压、高电流密度,放电过程剧烈,因而伴随有巨大的噪音。噪音的产生是不可避免,这是由微弧氧化本身的特性所决定的,为解决该技术问题,中国专利CN101660186B,提供了一种低噪音微弧氧化装置,虽然解决了噪音问题,但是结构复杂,在使用的过程中由于主要通过吸音材料来进行降噪处理,但是由于微弧氧化产生的电压、电流过高,温度也较大,对隔音材料造成一定的损害,并不能持久的进行降噪的目的,并且提高了整个设备的制造成本,同时因噪音问题提高了设备的维修频率。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的是提供一种降噪效果好,并且不会因环境的影响造成降噪效率下降的低噪音微弧氧化装置。
为达到上述目的,本发明采用以下技术方案,一种低噪音微弧氧化装置,包括外箱体、设在外箱体内的电解槽、设在外箱体外的微弧氧化电源、设在电解槽上端的微弧氧化阳极、设在电解槽底部的微弧氧化阴极,所述微弧氧化电源的两极分别与所述微弧氧化阳极和微弧氧化阴极电连接,所述外箱体内设有内箱体,所述内箱体和外箱体之间设有为真空层,所述的电解槽通过设在内箱体上部的密封隔断板固定连接在内箱体中,所述内箱体的底部设有冷凝水槽,所述电解槽的底部位于该冷凝水槽中;
所述外箱体和内箱体形成的噪音屏蔽箱体的侧边开设有环形噪音消减孔,且该环形噪音消减孔位于密封隔断板的下方,所述环形噪音消减孔内镶嵌固定连接有用于对微弧氧化时发生的噪音进行消减的环形消音装置;
所述外箱体和内箱体形成的噪音屏蔽箱体的顶部开设有物料进口,所述物料进口内密封安装有用于对微弧氧化时生成的气体穿过噪音屏蔽箱体产生的噪音进行消音的消音密封装置。
所述消音密封装置包括与物料进口密封连接的密封框体,所述的密封框体内从下到上分别设有下消音板、中消音板和上消音板,所述的上消音板和下消音板的四周与密封框体固定连接,所述的中消音板位于上消音板和下消音板之间,且所述中消音板通过设在上消音板上的拉动装置将中消音板水平拉动;
所述下消音板上设有多个下消音孔,所述上消音板上设有多个与下消音孔一一对齐的上消音孔,所述中消音板上设有多个中消音大孔和中消音小孔,所述中消音板在拉动装置拉动下,所述中消音大孔将下消音孔和上消音孔连通,或中消音小孔将下消音孔和上消音孔连通。
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